डायमंड वेफर्स सबस्ट्रेट एएलएन एपीटैक्सियल फिल्म्स पर टेम्पलेट

उत्पाद विवरण

डायमंड टेम्पलेट पर एएलएन नीलम /एएलएन-ऑन-एसआईसी/एएलएन-ऑन सिलिकॉन पर डायमंड सब्सट्रेट एएलएन पर एएलएन एपीटैक्सियल फिल्मों को वेफर्स करता है

डायमंड ~~ पर एएलएन टेम्पलेट जानने के लिए आपका स्वागत है

अलएन के लाभ
• डायरेक्ट बैंड गैप, 6.2eV की बैंड गैप चौड़ाई, एक महत्वपूर्ण गहरी पराबैंगनी और पराबैंगनी ल्यूमिनेसेंट सामग्री है
उच्च ब्रेकडाउन विद्युत क्षेत्र की ताकत, उच्च तापीय चालकता, उच्च इन्सुलेशन, कम ढांकता हुआ निरंतर, कम तापीय विस्तार गुणांक, अच्छा यांत्रिक प्रदर्शन, संक्षारण प्रतिरोध, आमतौर पर उच्च तापमान और उच्च आवृत्ति में उपयोग किया जाता है
उच्च शक्ति उपकरण
• बहुत अच्छा पीजोइलेक्ट्रिक प्रदर्शन (विशेष रूप से सी-अक्ष के साथ), जो विभिन्न सेंसर, ड्राइवर और फिल्टर तैयार करने के लिए सबसे अच्छी सामग्रियों में से एक है
• इसमें GaN क्रिस्टल के लिए बहुत निकट जाली स्थिरांक और थर्मल विस्तार गुणांक है, और GaN आधारित ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के हेटेरोपिटाक्सियल विकास के लिए पसंदीदा सब्सट्रेट सामग्री है।

तीन प्रमुख एएलएन उत्पाद

1. एएलएन-ऑन-सिलिकॉन
मिश्रित जमाव द्वारा सिलिकॉन सब्सट्रेट पर उच्च गुणवत्ता वाले एल्यूमीनियम नाइट्राइड (AlN) पतली फिल्मों को सफलतापूर्वक तैयार किया गया था।XRD (0002) रॉकिंग कर्व की आधी चोटी की चौड़ाई 0.9 ° से कम है, और विकास सतह की सतह खुरदरापन है<
1.5nm (एल्यूमीनियम नाइट्राइड मोटाई 200nm), उच्च गुणवत्ता वाली एल्यूमीनियम नाइट्राइड फिल्म बड़े आकार, उच्च गुणवत्ता और कम लागत में गैलियम नाइट्राइड (GaN) की तैयारी का एहसास करने में मदद करती है।

 नीलम आधारित AlN-ऑन-नीलम

नीलम (नीलमणि आधारित एल्यूमीनियम नाइट्राइड) पर उच्च गुणवत्ता वाले एएलएन समग्र जमाव द्वारा तैयार किया गया, एक्सआरडी (0002) की आधी चोटी की चौड़ाई स्विंग वक्र <0.05 °, विकास सतह की सतह खुरदरापन
रा <1.2 एनएम (एल्यूमीनियम नाइट्राइड मोटाई 200 एनएम है), जो न केवल उत्पाद की गुणवत्ता के प्रभावी नियंत्रण को महसूस करता है, उत्पाद की गुणवत्ता में काफी सुधार करता है, उत्पाद स्थिरता सुनिश्चित करता है, बल्कि बहुत कम करता है
उत्पाद लागत और उत्पादन चक्र कम हो जाते हैं।ग्राहक सत्यापन से पता चलता है कि CSMC के नीलम पर उच्च गुणवत्ता वाला AlN UVC एलईडी उत्पादों की उपज और स्थिरता में काफी सुधार कर सकता है।
गुणात्मक, उत्पाद प्रदर्शन को बेहतर बनाने में मदद करता है।
3.डायमंड आधारित एएलएन-ऑन-डायमंड
सीवीएमसी दुनिया का पहला और अभिनव रूप से हीरा आधारित एल्यूमीनियम नाइट्राइड विकसित करता है।XRD (0002) स्विंग कर्व की आधी चोटी की चौड़ाई 3 ° से कम है, और हीरे में अल्ट्रा-हाई थर्मल कंडक्टिविटी (कमरे के तापमान पर थर्मल कंडक्टिविटी) हो सकती है
2000W / m K तक) विकास सतह की सतह खुरदरापन रा <2nm (एल्यूमीनियम नाइट्राइड की मोटाई 200nm है), एल्यूमीनियम नाइट्राइड के नए अनुप्रयोग में मदद करता है।

आवेदन के फायदे

• UVC एलईडी सब्सट्रेट
प्रक्रिया लागत और उच्च उपज और उच्च एकरूपता की आवश्यकताओं से प्रेरित, AlGaN आधारित UVC LED चिप का सब्सट्रेट बड़ी मोटाई, बड़े आकार और उपयुक्त ढलान का है। चम्फर्ड नीलम सबस्ट्रेट्स एक बेहतरीन विकल्प हैं।मोटा सब्सट्रेट एपिटाक्सी के दौरान तनाव एकाग्रता के कारण होने वाले एपिटैक्सियल वेफर्स की असामान्य विकृति को प्रभावी ढंग से कम कर सकता है
एपिटैक्सियल वेफर्स की एकरूपता में सुधार किया जा सकता है;बड़े सबस्ट्रेट्स किनारे के प्रभाव को बहुत कम कर सकते हैं और चिप की समग्र लागत को जल्दी से कम कर सकते हैं;उपयुक्त चम्फर कोण कर सकते हैं
एपिटैक्सियल परत की सतह आकृति विज्ञान में सुधार करने के लिए, या क्वांटम अच्छी तरह से सक्रिय क्षेत्र में गा समृद्ध वाहक स्थानीयकरण प्रभाव बनाने के लिए एपिटैक्सियल तकनीक के साथ संयोजन करें, ताकि चमकदार दक्षता में सुधार हो सके।
• संक्रमण परत
AlN को बफर परत के रूप में उपयोग करने से GaN फिल्मों की एपिटैक्सियल गुणवत्ता, विद्युत और ऑप्टिकल गुणों में काफी सुधार हो सकता है।GaN और AIN सब्सट्रेट के बीच जाली बेमेल 2.4% है, थर्मल बेमेल लगभग शून्य है, जो न केवल उच्च तापमान वृद्धि के कारण होने वाले थर्मल तनाव से बच सकता है, बल्कि उत्पादन क्षमता में भी काफी सुधार करता है।
• अन्य अनुप्रयोगों
इसके अलावा, AlN पतली फिल्मों का उपयोग सतह ध्वनिक तरंग उपकरणों (SAW) की पीजोइलेक्ट्रिक पतली फिल्मों, बल्क ध्वनिक तरंग उपकरणों (FBAR) की पीजोइलेक्ट्रिक पतली फिल्मों, SOI सामग्रियों की दबी हुई परतों को इन्सुलेट करने और मोनोक्रोमैटिक कूलिंग के लिए किया जा सकता है।
कैथोड सामग्री (क्षेत्र उत्सर्जन डिस्प्ले और माइक्रो वैक्यूम ट्यूब के लिए उपयोग किया जाता है) और पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री, उच्च तापीय चालकता उपकरण, ध्वनिक-ऑप्टिक उपकरण, अल्ट्रा पराबैंगनी और एक्स-रे डिटेक्टर।
खाली कलेक्टर इलेक्ट्रोड उत्सर्जन, एमआईएस डिवाइस की ढांकता हुआ सामग्री, मैग्नेटो-ऑप्टिकल रिकॉर्डिंग माध्यम की सुरक्षात्मक परत।

 

 

नीलम प्रसंस्करण

नीलम शरीर → स्लाइसिंग → एज चम्फरिंग → लैपिंग → एनीलिंग → पॉलिशिंग → निरीक्षण → सफाई और पैकिंग

 

 

उत्पाद विवरण

विशिष्टता विवरण:

 

पूछे जाने वाले प्रश्न और संपर्क

 

प्रश्न: आपकी न्यूनतम आदेश आवश्यकता क्या है?
ए: एमओक्यू: 1 टुकड़ा

प्रश्न: मेरे आदेश को निष्पादित करने में कितना समय लगेगा?
ए: भुगतान की पुष्टि करने के बाद।

प्रश्न: क्या आप अपने उत्पादों की वारंटी दे सकते हैं?
ए: हम गुणवत्ता का वादा करते हैं, अगर गुणवत्ता में कोई समस्या है, तो हम नए उत्पादन का उत्पादन करेंगे या आपको पैसे वापस कर देंगे।

प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
ए: टी / टी, पेपैल, वेस्ट यूनियन, बैंक हस्तांतरण और या अलीबाबा और आदि पर आश्वासन भुगतान।

प्रश्न: क्या आप कस्टम ऑप्टिक्स का उत्पादन कर सकते हैं?
एक: हाँ, हम कस्टम प्रकाशिकी का उत्पादन कर सकते हैं
प्रश्न: यदि आपके कोई अन्य प्रश्न हैं, तो कृपया मुझसे संपर्क करने में संकोच न करें।
A: Tel+:86-15801942596 या skype:wmqeric@sina.cn