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| ब्रांड नाम: | zmkj |
| मॉडल संख्या: | एएलएन टेम्पलेट |
| एमओक्यू: | 3 पीसीएस |
| कीमत: | 150-250usd/pc |
| पैकेजिंग विवरण: | वैक्यूम पैकेज द्वारा सिंगल वेफर केस |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी |
2inch 4inch AlN-on-Sapphire Epi-wafer 1-5um AlN टेम्पलेट
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer माइक्रो-एलईडी के लिए आरएफ अनुप्रयोग के लिए
GaN वेफर विशेषता
गैलियम नाइट्राइड एक प्रकार का वाइड-गैप यौगिक अर्धचालक है।गैलियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट है
एक उच्च गुणवत्ता वाला एकल-क्रिस्टल सब्सट्रेट।यह मूल एचवीपीई विधि और वेफर प्रसंस्करण प्रौद्योगिकी के साथ बनाया गया है, जिसे मूल रूप से चीन में 10+ वर्षों के लिए विकसित किया गया है।विशेषताएं उच्च क्रिस्टलीय, अच्छी एकरूपता और बेहतर सतह गुणवत्ता हैं।सफेद एलईडी और एलडी (बैंगनी, नीला और हरा) के लिए कई प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए GaN सबस्ट्रेट्स का उपयोग किया जाता है इसके अलावा, बिजली और उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस अनुप्रयोगों के लिए विकास प्रगति हुई है।
निषिद्ध बैंड की चौड़ाई (प्रकाश उत्सर्जक और अवशोषण) पराबैंगनी, दृश्य प्रकाश और अवरक्त को कवर करती है।
आवेदन
GaN का उपयोग कई क्षेत्रों में किया जा सकता है जैसे LED डिस्प्ले, हाई-एनर्जी डिटेक्शन और इमेजिंग,
लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस, आदि।
संबंधित गण-ऑन-सी एपी-वेफर्स
बिजली आवेदन के लिए
उत्पाद विनिर्देश
| आइटम | मूल्य / दायरा |
| सब्सट्रेट | सी |
| वेफर व्यास | 4"/ 6” / 8" |
| एपि-लेयर मोटाई | 4-5सुक्ष्ममापी |
| वेफर बो | <30सुक्ष्ममापी, ठेठ |
| भूतल आकृति विज्ञान | RMS<0.5nm में 5×5 माइक्रोनमैं |
| बैरियर | अलीएक्सगा1 एक्सएन, 0<एक्स<1 |
| कैप परत | बगल मेंपापया GaN (डी-मोड);पी-गण (ई-मोड) |
| 2DEG घनत्व | >9ई12/सेमी2(20एनएम अल0.25गण) |
| इलेक्ट्रॉन गतिशीलता | >1800 सेमी2/ बनाम(20एनएम अल0.25गण) |
आरएफ आवेदन के लिए
उत्पाद विशिष्टता
| आइटम | मूल्य / दायरा |
| सब्सट्रेट | एचआर_एसआई/सिक |
| वेफर व्यास | 4''/6'' के लिएसिक, 4”/ 6”/ 8” के लिएएचआर_एसआई |
| एपी-परत की मोटाई | 2-3सुक्ष्ममापी |
| वेफर बो | <30सुक्ष्ममापी, ठेठ |
| भूतल आकृति विज्ञान | RMS<0.5nm में 5×5 माइक्रोनमैं |
| बैरियर | AlGaNयाAlNयाInAlN |
| कैप परत | बगल मेंपापअंग |
एलईडी आवेदन के लिए
| आइटम | GaN-on-Si | गण-पर-नीलम |
| 4"/6"/8"" | 2”/ 4”/6” | |
| एपि-लेयर मोटाई | <4μएम | <7μएम |
| औसत प्रमुख/पीकवेवलेंथ | 400-420 एनएम, 440-460 एनएम,510-530nm | 270-280 एनएम, 440-460 एनएम,510-530nm |
| एफडब्ल्यूएचएम |
<20nm ब्लू / नियर-यूवी के लिए <40nm हरे रंग के लिए |
यूवीसी के लिए <15 एनएम <25nm नीले रंग के लिए <40nm हरे रंग के लिए |
| वेफर बो | <50μएम | <180μएम |
हमारे OEM कारखाने के बारे में
हमारा फैक्ट्री एंटरप्राइज विजन
हम अपने कारखाने के साथ उद्योग के लिए उच्च गुणवत्ता वाले GaN सब्सट्रेट और एप्लिकेशन तकनीक प्रदान करेंगे।
उच्च गुणवत्ता वाला GaNmaterial III-नाइट्राइड अनुप्रयोग के लिए निरोधक कारक है, उदाहरण के लिए लंबा जीवन
और उच्च स्थिरता एलडी, उच्च शक्ति और उच्च विश्वसनीयता सूक्ष्म तरंग डिवाइस, उच्च चमक
और उच्च दक्षता, ऊर्जा की बचत एलईडी।
-सामान्य प्रश्न -
प्रश्न: आप रसद और लागत की आपूर्ति क्या कर सकते हैं?
(1) हम डीएचएल, फेडेक्स, टीएनटी, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ और आदि स्वीकार करते हैं।
(2) यदि आपका अपना एक्सप्रेस नंबर है, तो यह बहुत अच्छा है।
यदि नहीं, तो हम आपको वितरित करने में सहायता कर सकते हैं।फ्रेट = USD25.0 (पहला वजन) + USD12.0/kg
प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?
(1) मानक उत्पादों जैसे 2 इंच 0.33 मिमी वेफर के लिए।
इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवस है।
अनुकूलित उत्पादों के लिए: ऑर्डर के बाद डिलीवरी 2 या 4 वर्कवीक है।
प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
100％ टी / टी, पेपैल, वेस्ट यूनियन, मनीग्राम, सुरक्षित भुगतान और व्यापार आश्वासन।
प्रश्न: MOQ क्या है?
(1) सूची के लिए, MOQ 5pcs है।
(2) अनुकूलित उत्पादों के लिए, MOQ 5pcs-10pcs है।
यह मात्रा और टेकनीक पर निर्भर करता है।
प्रश्न: क्या आपके पास सामग्री के लिए निरीक्षण रिपोर्ट है?
हम आरओएचएस रिपोर्ट की आपूर्ति कर सकते हैं और हमारे उत्पादों के लिए रिपोर्ट तक पहुंच सकते हैं।
