माइक्रो एलईडी के लिए 8 इंच AlGaN / GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर

1. III-नाइट्राइड ((GaN,AlN,InN)

गैलियम नाइट्राइड एक प्रकार का व्यापक-अंतराल वाला यौगिक अर्धचालक है। गैलियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट है

एक उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट. यह मूल HVPE विधि और वेफर प्रसंस्करण तकनीक के साथ बनाया गया है, जिसे मूल रूप से चीन में 10+ वर्षों के लिए विकसित किया गया है।यह उच्च क्रिस्टलीय है।, अच्छी एकरूपता, और बेहतर सतह की गुणवत्ता। GaN सब्सट्रेट का उपयोग कई प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है, सफेद एलईडी और एलडी ((बैंगनी, नीला और हरा) के लिए।बिजली और उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरण अनुप्रयोगों के लिए विकास में प्रगति हुई है.

निषिद्ध बैंड चौड़ाई (प्रकाश उत्सर्जन और अवशोषण) पराबैंगनी, दृश्य प्रकाश और अवरक्त को कवर करती है।

आवेदन

GaN का उपयोग कई क्षेत्रों में किया जा सकता है जैसे कि एलईडी डिस्प्ले, हाई-एनर्जी डिटेक्शन और इमेजिंग,
लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस आदि

• लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस आदि
• ऊर्जा-कुशल प्रकाश व्यवस्था पूर्ण रंग फ्लै डिस्प्ले
• लेजर प्रक्षेपण उच्च दक्षता वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरण
• उच्च आवृत्ति माइक्रोवेव उपकरण उच्च ऊर्जा का पता लगाने और कल्पना
• नई ऊर्जा सोलर हाइड्रोजन प्रौद्योगिकी पर्यावरण पता लगाने और जैविक चिकित्सा
• प्रकाश स्रोत टेराहर्ट्ज बैंड