एकल क्रिस्टल सीसी बुल उत्पादन के लिए सीसी बुल विकास भट्ठी पीवीटी एचटीसीवीडी और एलपीई प्रौद्योगिकियां

एकल क्रिस्टल सीसी बुल उत्पादन के लिए सीसी बुल विकास भट्ठी पीवीटी, एचटीसीवीडी और एलपीई प्रौद्योगिकियां

सीआईसी बुल ग्रोथ फर्नेस का सार

ZMSH गर्व के साथ यह प्रदान करता हैसीआईसी बुल वृद्धि भट्ठी, एक उन्नत समाधान के उत्पादन के लिए इंजीनियरएकल क्रिस्टल SiC Boules. अत्याधुनिक प्रौद्योगिकियों का उपयोग करना जैसे किपीवीटी (भौतिक भाप परिवहन),एचटीसीवीडी (उच्च तापमान रासायनिक वाष्प अवशेष), औरएलपीई (तरल अवस्था का एपिटेक्सी), हमारेसीआईसी बुल वृद्धि भट्ठीउच्च शुद्धता के स्थिर और कुशल विकास के लिए अनुकूलित हैSiC बुल्सयह भट्ठी6 इंच,8 इंच, और अनुकूलित आकारSiC बुल्स, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, ईवी और नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों की सख्त मांगों को पूरा करता है।

सीआईसी बुल ग्रोथ फर्नेस के गुण

• बहु-प्रौद्योगिकी संगतता:सीआईसी बुल वृद्धि भट्ठीपीवीटी, एचटीसीवीडी और एलपीई प्रक्रियाओं का समर्थन करता है, विभिन्न सीआईसी क्रिस्टल विकास विधियों के लिए लचीलापन प्रदान करता है।
• सटीक तापमान नियंत्रण: उन्नत प्रतिरोध या प्रेरण हीटिंग एक समान तापमान वितरण सुनिश्चित करता है, ± 1 °C की नियंत्रण सटीकता के साथ, दोष मुक्त के लिए आवश्यक हैSiC Bouleवृद्धि।
• वैक्यूम और दबाव नियंत्रण: उच्च परिशुद्धता वाले एकीकृत वैक्यूम और दबाव प्रणालियों से इष्टतम विकास की स्थिति बनी रहती है, जिससेSiC Bouleगुणवत्ता और उपज।
• क्रिस्टल आकार समर्थन: बढ़ने में सक्षम6 इंच और 8 इंच के SiC बुल्स, बड़े आकारों के लिए अनुकूलन उपलब्ध है।
• उच्च दक्षता और सुरक्षा:सीआईसी बुल वृद्धि भट्ठीऊर्जा दक्षता, संचालन में आसानी और सुरक्षा के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें नीचे लोडिंग और स्वचालित नियंत्रण प्रणाली जैसी विशेषताएं हैं।
• स्थिर क्रिस्टल विकास वातावरण: लगातार विकास की स्थिति सुनिश्चित करता है, दोष घनत्व को कम करता है और अंतिम उत्पादन के प्रदर्शन को बढ़ाता हैसीआईसी वेफर्स.
   

  विनिर्देश	विवरण
  आयाम (L × W × H)	3200 × 1150 × 3600 मिमी
  कस्टिबल का व्यास	Ø 400 मिमी
  परम वैक्यूम	5 × 10−4 Pa (1,5 h पंप करने के बाद)
  रोटेशन शाफ्ट व्यास	Ø 200 मिमी
  भट्ठी की ऊंचाई	1250 मिमी
  ताप पद्धति	प्रेरण हीटिंग
  अधिकतम तापमान	2400°C
  हीटिंग पावर	पीएमएक्स = 40 किलोवाट, आवृत्ति = 812 kHz
  तापमान माप	दो-रंग इन्फ्रारेड पाइरोमीटर
  तापमान सीमा	900~3000°C
  तापमान सटीकता	±1°C
  दबाव सीमा	1 ¥ 700 एमबी
  दबाव नियंत्रण सटीकता	1 ‰ 10 mbar: ±0.5% F.S; 10×100 mbar: ±0.5% F.S; 700 mbar: ±0.5% F.S.
  लोड मोड	नीचे लोड करना, सुरक्षित और आसान संचालन
  वैकल्पिक विशेषताएं	शाफ्ट रोटेशन, दोहरे तापमान क्षेत्र

  
   

तीन प्रकार के सीआईसी बुल वृद्धि भट्ठी विवरण

SiC Boule ग्रोथ फर्नेस की तस्वीर

हमारे भट्ठी से SiC Boule

ग्राहक के कारखाने में SiC बुल ग्रोथ फर्नेस की तस्वीर

नीचे हमारी एक स्थापना हैसीआईसी बुल वृद्धि भट्ठीएक ग्राहक की सुविधा में, वास्तविक दुनिया के अनुप्रयोग और बड़े पैमाने पर उत्पादन वातावरण में विश्वसनीय प्रदर्शन का प्रदर्शन। हमारे वैश्विक ग्राहकसीआईसी बुल वृद्धि भट्ठीके बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिएसीआईसी वेफर्सउत्कृष्ट स्थिरता और गुणवत्ता के साथ।

सीआईसी बुल वृद्धि भट्ठी के लिए अनुकूलन योग्य सेवाएं

परZMSH, हम समझते हैं कि प्रत्येक ग्राहक की उत्पादन आवश्यकताएं अद्वितीय हैं।पूरी तरह से अनुकूलन योग्य समाधानहमारे लिएसीआईसी बुल वृद्धि भट्ठी, जो आपकी उत्पादन प्रक्रियाओं, तकनीकी आवश्यकताओं और क्रिस्टल विकास लक्ष्यों के साथ इष्टतम संगतता सुनिश्चित करता है।