• ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी
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ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: ZMSH
मॉडल संख्या: अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC कम्पोजिट सबस्ट्रेट्स

भुगतान & नौवहन नियमों:

प्रसव के समय: 2-4 सप्ताह
भुगतान शर्तें: टी/टी, टी/टी
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

व्यास: 150±0.2मिमी बहुप्रकार: 4H-सेमी
प्रतिरोधकता: ≥1E8ओम·सेमी स्थानांतरण SiC परत की मोटाई: ≥0.4μm
खालीपन: ≤5ea/वेफर (2मिमी>डी>0.5मिमी) सामने का खुरदरापन: रा≤0.2एनएम (5μm*5μm)
टीटीवी: ≤5μm ताना: ≤35μm
प्रमुखता देना:

6 इंच के सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट

,

एपि तैयार सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट

,

150 मिमी सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट

उत्पाद विवरण

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी

 

अर्ध-अवरोधक SiC कम्पोजिट सब्सट्रेट के लिए सारांश

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए डिज़ाइन किए गए अर्ध-अवरोधक SiC कम्पोजिट सब्सट्रेट अपने असाधारण गुणों के साथ बेहतर प्रदर्शन प्रदान करते हैं। इन सब्सट्रेट का बहुप्रकार 4H है,अपने उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक और थर्मल गुणों के लिए जाना जाता≥1E8 ओम सेमी के प्रतिरोध के साथ, ये सब्सट्रेट न्यूनतम रिसाव वर्तमान और इलेक्ट्रॉनिक शोर को कम करते हैं, जो उच्च परिशुद्धता अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण हैं।

 

एक प्रमुख विशेषता हस्तांतरण परत की मोटाई है, जो कि ≥0.4μm है, जो कि एपिटाक्सियल परत विकास के लिए एक मजबूत मंच प्रदान करता है। सब्सट्रेट में बहुत कम खाली घनत्व होता है,0 के बीच के आकारों के लिए एक वेफर पर ≤5 रिक्तियों के साथ.5 मिमी और 2 मिमी व्यास का। यह कम दोष घनत्व उपकरण निर्माण में उच्च विश्वसनीयता और प्रदर्शन स्थिरता सुनिश्चित करता है।

 

ये सब्सट्रेट विशेष रूप से उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति वाले ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उनके उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और बेहतर थर्मल चालकता के कारण उपयुक्त हैं।सीआईसी सामग्री की उच्च यांत्रिक शक्ति और रासायनिक स्थिरता इसे कठोर वातावरण में उपयोग के लिए आदर्श बनाती है, उपकरण की दीर्घायु और स्थायित्व सुनिश्चित करता है।

कुल मिलाकर, इन अर्ध-अवरोधक SiC कम्पोजिट सब्सट्रेट को आधुनिक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों की सख्त मांगों को पूरा करने के लिए इंजीनियर किया गया है,उन्नत इलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक उपकरणों के विकास के लिए एक विश्वसनीय आधार प्रदान करना.

 

 

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 0

 

 

विनिर्देशों और योजनागत आरेख के लिएअर्ध-अवरोधक सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट

 

 

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 1

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 2

 

अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट फोटो प्रदर्शनी

 

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 3ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 4

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 5ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी 6

 

अर्ध-अवरोधक सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट आवेदन

 

अर्ध-अवरोधक सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कम्पोजिट सब्सट्रेट में विभिन्न उच्च-प्रदर्शन और उन्नत प्रौद्योगिकी क्षेत्रों में कई अनुप्रयोग हैं।यहाँ कुछ प्रमुख क्षेत्र हैं जहां वे विशेष रूप से मूल्यवान हैं:

  1. उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक्स:

    • सीआईसी सब्सट्रेट एमईएसएफईटी (मेटल-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) और एचईएमटी (हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर) जैसे उपकरणों के निर्माण में आवश्यक हैं।जो आरएफ (रेडियो फ्रीक्वेंसी) और माइक्रोवेव संचार में उपयोग किए जाते हैंइन उपकरणों को सीआईसी की उच्च थर्मल चालकता और व्यापक बैंडगैप का लाभ मिलता है, जिससे उच्च शक्ति संचालन और दक्षता की अनुमति मिलती है।
  2. पावर इलेक्ट्रॉनिक्स:

    • पावर कन्वर्टर्स, इन्वर्टर्स और मोटर ड्राइव जैसे अनुप्रयोगों के लिए पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में सीआईसी सब्सट्रेट महत्वपूर्ण हैं।वे पारंपरिक सिलिकॉन आधारित उपकरणों की तुलना में बेहतर दक्षता और विश्वसनीयता के साथ उच्च वोल्टेज और धाराओं को संभालने में सक्षम उपकरणों के विकास की अनुमति देते हैं.
  3. ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स:

    • सीआईसी का उपयोग एलईडी (लाइट इमिटिंग डायोड) और फोटोडेटेक्टरों के लिए सब्सट्रेट के रूप में किया जाता है।सामग्री के गुण उच्च प्रदर्शन और दीर्घायु के साथ यूवी (अल्ट्रावायलेट) और नीले एलईडी बनाने की अनुमति देते हैं.
  4. उच्च तापमान इलेक्ट्रॉनिक्स:

    • इसकी उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता के कारण, उच्च तापमान वाले वातावरण में, जैसे एयरोस्पेस और ऑटोमोटिव उद्योगों में सीआईसी सब्सट्रेट का उपयोग किया जाता है।SiC आधारित उपकरण 200°C से अधिक तापमान पर विश्वसनीय रूप से काम कर सकते हैं.
  5. क्वांटम कंप्यूटिंग:

    • क्वांटम कंप्यूटिंग घटकों के विकास में सीआईसी सब्सट्रेट की खोज की जा रही है। सामग्री के गुण क्यूबिट्स और अन्य क्वांटम उपकरणों के निर्माण के लिए फायदेमंद हैं।
  6. कठोर वातावरण सेंसर:

    • सीआईसी की मजबूती इसे कठोर वातावरण में संचालित सेंसरों के लिए उपयुक्त बनाती है, जैसे तेल और गैस अन्वेषण, अंतरिक्ष अन्वेषण और औद्योगिक प्रक्रिया निगरानी।ये सेंसर चरम तापमान का सामना कर सकते हैं, दबाव और संक्षारक वातावरण।
  7. बायोमेडिकल उपकरण:

    • बायोमेडिकल क्षेत्र में, सीआईसी सब्सट्रेट का उपयोग उनकी जैव संगतता और स्थिरता के कारण प्रत्यारोपित उपकरणों और बायोसेंसर के लिए किया जाता है।वे दीर्घकालिक चिकित्सा अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय मंच प्रदान करते हैं.
  8. सैन्य और रक्षा:

    • सीआईसी की उच्च-प्रदर्शन प्रकृति इसे रडार प्रणालियों, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध और संचार प्रणालियों सहित रक्षा अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।इन अनुप्रयोगों में उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति संकेतों को संभालने की सामग्री की क्षमता महत्वपूर्ण है.

अर्ध-अछूता SiC के अद्वितीय गुणों का लाभ उठाकर, इसकी उच्च थर्मल चालकता, व्यापक बैंडगैप और रासायनिक स्थिरता सहित,इंजीनियर और शोधकर्ता ऐसे उपकरण विकसित कर सकते हैं जो इन उन्नत अनुप्रयोगों की मांगों को पूरा करते हैं।.

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प्रश्न और उत्तर

 

प्रश्न:अर्ध-अवरोधक सीआईसी क्या है?

 

A:अर्ध-अवरोधक सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री का एक प्रकार है जिसे उच्च विद्युत प्रतिरोध के लिए इंजीनियर किया गया है।यह विशेषता उच्च आवृत्ति और उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए एक उत्कृष्ट सब्सट्रेट बनाता है, जैसे गैलियम नाइट्राइड (GaN) ट्रांजिस्टर और डायोड। प्रवाहकीय SiC के विपरीत, अर्ध-अछूता SiC परजीवी प्रवाह को कम करता है, हस्तक्षेप को कम करता है और डिवाइस के प्रदर्शन में सुधार करता है।यह सामग्री अपने अर्ध-अवरोधक गुणों को विशिष्ट डोपेंट्स या दोषों की शुरूआत के माध्यम से प्राप्त करती है जो निः शुल्क शुल्क वाहक की भरपाई करते हैंइसकी थर्मल चालकता और यांत्रिक शक्ति भी इसे कठोर वातावरण में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं, जैसे कि पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और दूरसंचार.

इस उत्पाद के बारे में अधिक जानकारी जानना चाहते हैं
मुझे दिलचस्पी है ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए अर्ध-इन्सुलेटिंग सीआईसी कम्पोजिट सब्सट्रेट एपीआई तैयार 6 इंच 150 मिमी क्या आप मुझे अधिक विवरण भेज सकते हैं जैसे कि प्रकार, आकार, मात्रा, सामग्री, आदि।
धन्यवाद!