• 2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक
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2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक

2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: ZMKJ
मॉडल संख्या: 4 इंच SiC बल्क

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 3 पीसीएस
मूल्य: by case
पैकेजिंग विवरण: 100-ग्रेड सफाई कक्ष में सिंगल वेफर पैकेज
प्रसव के समय: 2-5सप्ताह
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 1-50 पीसी / माह
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

सामग्री: सीआईसी एकल क्रिस्टल कठोरता: 9.4
आकार: स्वनिर्धारित सहनशीलता: ± 0.1 मिमी
आवेदन: बीज वेफर, परावर्तक प्रकार: 4h-एन
व्यास: 4 इंच 6 इंच 8 इंच मोटाई: 5-15 मिमी ठीक है
प्रतिरोधकता: 0.015 ~ 0.028ohm.cm रंग: चाय-हरा रंग
हाई लाइट:

6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर

,

औद्योगिक SiC वेफर

,

4H-सेमी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर

उत्पाद विवरण

उच्च गुणवत्ता सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर वेफर्स एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स अनुकूलित उच्च गुणवत्ता उच्च परिशुद्धता Dia.700mm Sic गोलाकार दर्पण धातु ऑप्टिकल परावर्तक अनुकूलित उच्च गुणवत्ता Dia.500mm चांदी चढ़ाया गोलाकार परावर्तक धातु ऑप्टिकल परावर्तक 2 इंच / 3 इंच / 4 इंच / 6 इंच / 8 इंच 6 एच -N/4H-SEMI/ 4H-N SIC सिल्लियां/उच्च शुद्धता 4H-N 4 इंच 6 इंच व्यास 150mm सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल (सिक) सबस्ट्रेट्स वेफर्स,

 

उत्पाद विवरण

2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक 0

प्रोडक्ट का नाम
मेटल प्लेन मिरर
सामग्री
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन
व्यास
500 मिमी
सतही गुणवत्ता
60-40
सतह की सटीकता

पीवी: 1/4 लैम्ब्डा;

आरएमएस: 1/30 लैम्ब्डा
कलई करना

परावर्तन> 90%

कोटिंग फिल्म: @ 200-1100nm
आवेदन
परावर्तक प्रणाली
 
SIC वेफर का विवरण
 
संपत्ति 4H-SiC, सिंगल क्रिस्टल 6H-SiC, सिंगल क्रिस्टल
जाली पैरामीटर a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
स्टैकिंग अनुक्रम एबीसीबी एबीसीएसीबी
मोहस कठोरता ≈9.2 ≈9.2
घनत्व 3.21 ग्राम/सेमी3 3.21 ग्राम/सेमी3
थर्म।विस्तार गुणांक 4-5×10-6/के 4-5×10-6/के
अपवर्तन सूचकांक @750nm

नहीं = 2.61

ने = 2.66

नहीं = 2.60

ने = 2.65

पारद्युतिक स्थिरांक सी ~ 9.66 सी ~ 9.66
तापीय चालकता (एन-प्रकार, 0.02 ओम.सेमी)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
तापीय चालकता (अर्ध-इन्सुलेटिंग)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

ऊर्जा अंतराल 3.23 ईवी 3.02 ईवी
ब्रेक-डाउन विद्युत क्षेत्र 3-5 × 106 वी / सेमी 3-5 × 106 वी / सेमी
संतृप्ति बहाव वेग 2.0×105मी/से 2.0×105मी/से

 

कैटलॉग कॉमन साइज
 

 

4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां
2 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां
3 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर
4 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां
6 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां

 

4H अर्ध-इन्सुलेटिंग / उच्च शुद्धता SiC वेफर

2 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
3 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
4 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
 
 
6H एन-टाइप SiC वेफर
2 इंच 6H N-टाइप SiC वेफर/पिंड
 
2-6 इंच के लिए अनुकूलित आकार
 

 

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC),कार्बोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होता है।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज या दोनों पर काम करते हैं। SiC भी इनमें से एक है
महत्वपूर्ण एलईडी घटक, यह GaN उपकरणों को उगाने के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च-शक्ति में हीट स्प्रेडर के रूप में भी काम करता है
एल ई डी।

 

 

गुण इकाई सिलिकॉन सिक गण मन
बैंडगैप चौड़ाई ईवी 1.12 3.26 3.41
ब्रेकडाउन फील्ड एमवी / सेमी 0.23 2.2 3.3
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सेमी^2/बनाम 1400 950 1500
बहाव वेग 10^7 सेमी/सेकंड 1 2.7 2.5
ऊष्मीय चालकता डब्ल्यू / सेमीके 1.5 3.8 1.3

 

 

 

सीआईसी बीज क्रिस्टल पिंड विस्तार के बारे में
2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक 12/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक 22/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक 32/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक 4

ZMKJ कंपनी के बारे में

 

ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग को उच्च गुणवत्ता वाला सिंगल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।SiC वेफर सिलिकॉन वेफर और GaAs वेफर की तुलना में अद्वितीय विद्युत गुणों और उत्कृष्ट तापीय गुणों के साथ अगली पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री है, SiC वेफर उच्च तापमान और उच्च शक्ति उपकरण अनुप्रयोग के लिए अधिक उपयुक्त है।SiC वेफर को 2-6 इंच व्यास में आपूर्ति की जा सकती है, दोनों 4H और 6H SiC, N- प्रकार, नाइट्रोजन डोप्ड और अर्ध-इन्सुलेट प्रकार उपलब्ध हैं।अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।

 

सामान्य प्रश्न:

प्रश्न: शिपिंग और लागत का तरीका क्या है?

ए: (1) हम डीएचएल, फेडेक्स, ईएमएस इत्यादि स्वीकार करते हैं।

(2) यह ठीक है यदि आपके पास अपना स्वयं का एक्सप्रेस खाता है, यदि नहीं, तो हम उन्हें भेजने में आपकी सहायता कर सकते हैं और

भाड़ा मैं हैएन वास्तविक बंदोबस्त के अनुसार।

 

क्यू: कैसे भुगतान करने के लिए?

ए: डिलीवरी से पहले टी / टी 100% जमा।

 

प्रश्न: आपका MOQ क्या है?

ए: (1) इन्वेंट्री के लिए, MOQ 1 पीसी है।अगर 2-5 पीसी यह बेहतर है।

(2) अनुकूलित कॉमन उत्पादों के लिए, MOQ 10 पीसी ऊपर है।

 

क्यू: प्रसव के समय क्या है?

ए: (1) मानक उत्पादों के लिए

इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर देने के 5 दिन बाद डिलीवरी होती है।

अनुकूलित उत्पादों के लिए: आपके द्वारा संपर्क किए जाने के 2 -4 सप्ताह बाद डिलीवरी होती है।

 

प्रश्न: क्या आपके पास मानक उत्पाद हैं?

ए: स्टॉक में हमारे मानक उत्पाद।सबस्ट्रेट्स की तरह 4 इंच 0.35 मिमी।

 

इस उत्पाद के बारे में अधिक जानकारी जानना चाहते हैं
मुझे दिलचस्पी है 2/3/4/6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC सिल्लियां औद्योगिक क्या आप मुझे अधिक विवरण भेज सकते हैं जैसे कि प्रकार, आकार, मात्रा, सामग्री, आदि।
धन्यवाद!