पॉलिश 4h सेमी सेमी सिंगल सिंगल क्रिस्टल रॉड लेंस उच्च शुद्धता
उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
ब्रांड नाम: | ZMKJ |
मॉडल संख्या: | un-doped dia2x10mmt |
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 5pcs |
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मूल्य: | by case |
पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कमरे में एकल वेफर पैकेज |
प्रसव के समय: | 2-3weeks |
भुगतान शर्तें: | टी / टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
आपूर्ति की क्षमता: | 1-50pcs / माह |
विस्तार जानकारी |
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सामग्री: | अदिनांकित SiC सिंगल क्रिस्टल | कठोरता: | 9.4 |
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आकार: | छड़ी | सहनशीलता: | ± 0.1 मिमी |
आवेदन पत्र: | ऑप्टिकल | प्रकार: | उच्च शुद्धता 4h-अर्ध |
प्रतिरोधकता: | >1E7 | रंग: | पारदर्शी |
सतह: | डीएसपी | ऊष्मीय चालकता: | >400W/298KH |
प्रमुखता देना: | sic क्रिस्टल रॉड,4 -सिमिक sic सिंगल क्रिस्टल,अनोपेड sic रॉड |
उत्पाद विवरण
2 इंच / 3 इंच / 4 इंच / 6 इंच 6 एच-एन / 4 एच-सेमी / 4 एच-एन एसआईसी सिल्लियां / उच्च शुद्धता 4 एच-एन 4 इंच 6 इंच व्यास 150 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल (एसआईसी) सब्सट्रेट वेफर्स,
undoped 4h-अर्ध उच्च शुद्धता अनुकूलित आकार सिस क्रिस्टल रॉड लेंस व्यास 2 मिमी 10 मिमी लंबाई:
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल के बारे में
सीआईसी . का आवेदन
SiC क्रिस्टल एक महत्वपूर्ण वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री है।इसकी उच्च तापीय चालकता, उच्च इलेक्ट्रॉन बहाव दर, उच्च टूटने वाले क्षेत्र की ताकत और स्थिर भौतिक और रासायनिक गुणों के कारण, यह उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति और उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।अब तक 200 से अधिक प्रकार के SiC क्रिस्टल खोजे जा चुके हैं।उनमें से, 4H- और 6H-SiC क्रिस्टल की व्यावसायिक रूप से आपूर्ति की गई है।वे सभी 6 मिमी बिंदु समूह से संबंधित हैं और दूसरे क्रम के गैर-रेखीय ऑप्टिकल प्रभाव हैं।सेमी-इंसुलेटिंग SiC क्रिस्टल दृश्यमान और मध्यम होते हैं।इन्फ्रारेड बैंड में उच्च संप्रेषण होता है।इसलिए, उच्च तापमान और उच्च दबाव जैसे चरम वातावरण में अनुप्रयोगों के लिए SiC क्रिस्टल पर आधारित ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण बहुत उपयुक्त हैं।सेमी-इंसुलेटिंग 4H-SiC क्रिस्टल एक नए प्रकार का मिड-इन्फ्रारेड नॉनलाइनियर ऑप्टिकल क्रिस्टल साबित हुआ है।आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले मध्य-अवरक्त नॉनलाइनियर ऑप्टिकल क्रिस्टल की तुलना में, क्रिस्टल के कारण SiC क्रिस्टल में एक विस्तृत बैंड गैप (3.2eV) होता है।, उच्च तापीय चालकता (490W/m·K) और Si-C के बीच बड़ी बंधन ऊर्जा (5eV), ताकि SiC क्रिस्टल में उच्च लेज़र क्षति सीमा हो।इसलिए, एक गैर-रेखीय आवृत्ति रूपांतरण क्रिस्टल के रूप में अर्ध-इन्सुलेट 4H-SiC क्रिस्टल के उच्च-शक्ति वाले मध्य-अवरक्त लेजर के उत्पादन में स्पष्ट लाभ हैं।इस प्रकार, उच्च-शक्ति वाले लेज़रों के क्षेत्र में, SiC क्रिस्टल व्यापक अनुप्रयोग संभावनाओं के साथ एक गैर-रेखीय ऑप्टिकल क्रिस्टल है।हालाँकि, SiC क्रिस्टल और संबंधित अनुप्रयोगों के गैर-रैखिक गुणों पर आधारित वर्तमान शोध अभी तक पूरा नहीं हुआ है।यह काम मुख्य शोध सामग्री के रूप में 4H- और 6H-SiC क्रिस्टल के गैर-रेखीय ऑप्टिकल गुणों को लेता है, और इसका उद्देश्य गैर-रेखीय ऑप्टिकल गुणों के संदर्भ में SiC क्रिस्टल की कुछ बुनियादी समस्याओं को हल करना है, ताकि क्षेत्र में SiC क्रिस्टल के अनुप्रयोग को बढ़ावा दिया जा सके। नॉनलाइनियर ऑप्टिक्स की।संबंधित कार्यों की एक श्रृंखला सैद्धांतिक और प्रयोगात्मक रूप से की गई है, और मुख्य शोध परिणाम इस प्रकार हैं: सबसे पहले, सीआईसी क्रिस्टल के मूल गैर-रेखीय ऑप्टिकल गुणों का अध्ययन किया जाता है।दृश्यमान और मध्य-अवरक्त बैंड (404.7nm~2325.4nm) में 4H- और 6H-SiC क्रिस्टल के चर तापमान अपवर्तन का परीक्षण किया गया था, और चर तापमान अपवर्तक सूचकांक के सेलमियर समीकरण को फिट किया गया था।थर्मो-ऑप्टिकल गुणांक के फैलाव की गणना के लिए एकल थरथरानवाला मॉडल सिद्धांत का उपयोग किया गया था।एक सैद्धांतिक व्याख्या दी गई है;4H- और 6H-SiC क्रिस्टल के चरण मिलान पर थर्मो-ऑप्टिक प्रभाव के प्रभाव का अध्ययन किया जाता है।परिणाम बताते हैं कि 4H-SiC क्रिस्टल का चरण मिलान तापमान से प्रभावित नहीं होता है, जबकि 6H-SiC क्रिस्टल अभी भी तापमान चरण मिलान प्राप्त नहीं कर सकते हैं।स्थिति।इसके अलावा, मेकर फ्रिंज विधि द्वारा अर्ध-इन्सुलेट 4H-SiC क्रिस्टल के आवृत्ति दोहरीकरण कारक का परीक्षण किया गया था।दूसरा, femtosecond ऑप्टिकल पैरामीटर पीढ़ी और 4H-SiC क्रिस्टल के प्रवर्धन प्रदर्शन का अध्ययन किया जाता है।फेज मैचिंग, ग्रुप वेलोसिटी मैचिंग, बेस्ट नॉन-कोलीनियर एंगल और 4H-SiC क्रिस्टल की सबसे अच्छी क्रिस्टल लंबाई 800nm फेमटोसेकंड लेजर द्वारा पंप की जाती है, सैद्धांतिक रूप से विश्लेषण किया जाता है।टीआई द्वारा 800nm आउटपुट के तरंग दैर्ध्य के साथ फेमटोसेकंड लेजर का उपयोग करना: पंप स्रोत के रूप में नीलम लेजर, दो-चरण ऑप्टिकल पैरामीट्रिक प्रवर्धन तकनीक का उपयोग करके, एक गैर-रेखीय ऑप्टिकल क्रिस्टल के रूप में 3.1 मिमी मोटी अर्ध-इन्सुलेट 4H-SiC क्रिस्टल का उपयोग करके, 90 डिग्री चरण मिलान के तहत, पहली बार, 3750 एनएम के केंद्र तरंग दैर्ध्य के साथ एक मध्य-अवरक्त लेजर, 17μJ तक एक एकल पल्स ऊर्जा, और 70fs की एक पल्स चौड़ाई प्रयोगात्मक रूप से प्राप्त की गई थी।532nm फेमटोसेकंड लेजर का उपयोग पंप लाइट के रूप में किया जाता है, और ऑप्टिकल मापदंडों के माध्यम से 603nm के आउटपुट सेंटर वेवलेंथ के साथ सिग्नल लाइट उत्पन्न करने के लिए SiC क्रिस्टल 90 ° चरण-मिलान होता है।तीसरा, गैर-रेखीय ऑप्टिकल माध्यम के रूप में अर्ध-इन्सुलेट 4H-SiC क्रिस्टल के वर्णक्रमीय व्यापक प्रदर्शन का अध्ययन किया जाता है।प्रयोगात्मक परिणाम बताते हैं कि विस्तृत स्पेक्ट्रम की आधी-अधिकतम चौड़ाई क्रिस्टल की लंबाई और क्रिस्टल पर लेजर शक्ति घनत्व घटना के साथ बढ़ जाती है।रैखिक वृद्धि को स्व-चरण मॉडुलन के सिद्धांत द्वारा समझाया जा सकता है, जो मुख्य रूप से क्रिस्टल के अपवर्तक सूचकांक के अंतर के साथ घटना प्रकाश की तीव्रता के कारण होता है।साथ ही, यह विश्लेषण किया जाता है कि femtosecond समय के पैमाने में, SiC क्रिस्टल के नॉनलाइनियर अपवर्तक सूचकांक को मुख्य रूप से क्रिस्टल में बाध्य इलेक्ट्रॉनों और चालन बैंड में मुक्त इलेक्ट्रॉनों के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है;और z-स्कैन तकनीक का उपयोग 532nm लेजर के तहत SiC क्रिस्टल का प्रारंभिक अध्ययन करने के लिए किया जाता है।गैर-रैखिक अवशोषण और गैर
रैखिक अपवर्तक सूचकांक प्रदर्शन।
गुण | इकाई | सिलिकॉन | सिक | गण मन |
बैंडगैप चौड़ाई | ईवी | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
ब्रेकडाउन फील्ड | एमवी/सेमी | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता | सेमी ^ 2 / बनाम | 1400 | 950 | 1500 |
बहाव वेग | 10^7 सेमी/सेकंड | 1 | 2.7 | 2.5 |
ऊष्मीय चालकता | डब्ल्यू / सेमीके | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
6इंच उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेट 4H-SiC सबस्ट्रेट्स निर्दिष्टीकरण
संपत्ति | उफुहनी) ग्रेड |पी (प्रोड्यूबेन) ग्रेड | आर (अनुसंधान) ग्रेड | डी (डमीमैंश्रेणी | |
व्यास | 150.0 मिमीएचजे.25 मिमी | |||
भूतल ओंकनिएशन | {0001} ±0.2. | |||
प्राथमिक फ्लैट ओरिएंटलिक | <ll-20>±5.0# | |||
सेकेंडरी हैट ओरिएंटा यूएन | एन>ए | |||
प्राथमिक फ्लैट लंबाई | 47.5 मिमी ± 1.5 मिमी | |||
माध्यमिक फ्लैट लंबाई | कोई भी नहीं | |||
वामैंकिनारा | नाला | |||
माइक्रोपिप घनत्व | <1 केएनआर <5 / सेमी2 | <10/सेमी2 | <50/सेमी2 | |
हाई-इम्कसिटी लाइट द्वारा पोलजलीपीसी क्षेत्र | कोई भी नहीं | <10% | ||
विरोध!विट), | >lE7Hcm | (क्षेत्र75%)>एलई7डी सेमी | ||
मोटाई | 350.0 अपराह्न ± 25.0 जिम या 500.0मैं±25.सी अपराह्न | |||
टीटीवी | एस 10 बजे | |||
Bou<निरपेक्ष मान) | = 40 अपराह्न | |||
ताना | -60 अपराह्न | |||
सतह खत्म | सी-फोक: ऑप्टिकल पॉलिश, सी-फोक: सीएमपी | |||
रफएनसीएसएस (एलसी उमXIOu एम) | सीएमपी सी-बी रा <सी, 5 एनएम | एन/ए | ||
उच्च तीव्रता* प्रकाश द्वारा क्रैक | कोई भी नहीं | |||
डिफ्यूज़ लाइटिंग द्वारा एज चिप्स / lndcnts | कोई भी नहीं | Qly<2, tbc लंबाई और प्रत्येक V की चौड़ाई 1 मिमी | ||
प्रभावी क्षेत्र | > 90% | >8सी% | एन/ए | |





ZMKJ कंपनी के बारे में
ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग को उच्च गुणवत्ता वाला सिंगल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।SiC वेफर एक अगली पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री है, जिसमें अद्वितीय विद्युत गुण और उत्कृष्ट तापीय गुण हैं, सिलिकॉन वेफर और GaAs वेफर की तुलना में, SiC वेफर उच्च तापमान और उच्च शक्ति डिवाइस अनुप्रयोग के लिए अधिक उपयुक्त है।SiC वेफर को 2-6 इंच के व्यास में आपूर्ति की जा सकती है, दोनों 4H और 6H SiC, N- प्रकार, नाइट्रोजन डोपेड और अर्ध-इन्सुलेट प्रकार उपलब्ध हैं।अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
- सामान्य प्रश्न:
- प्रश्न: शिपिंग और लागत का तरीका क्या है?
- ए: (1) हम डीएचएल, फेडेक्स, ईएमएस इत्यादि स्वीकार करते हैं।
- (2) यह ठीक है यदि आपका अपना एक्सप्रेस खाता है, यदि नहीं, तो हम उन्हें शिप करने में आपकी सहायता कर सकते हैं और
- भाड़ा वास्तविक निपटान के अनुसार है।
- प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
- ए: डिलीवरी से पहले टी / टी 100% जमा।
- प्रश्न: आपका MOQ क्या है?
- ए: (1) सूची के लिए, एमओक्यू 1 पीसी है।अगर 2-5 पीसी यह बेहतर है।
- (2) अनुकूलित कॉमन उत्पादों के लिए, MOQ 10pcs ऊपर है।
- प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?
- ए: (1) मानक उत्पादों के लिए
- इन्वेंट्री के लिए: आपके द्वारा ऑर्डर देने के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवस है।
- अनुकूलित उत्पादों के लिए: आपके द्वारा संपर्क करने के 2 -4 सप्ताह बाद डिलीवरी होती है।
- प्रश्न: क्या आपके पास मानक उत्पाद हैं?
- ए: स्टॉक में हमारे मानक उत्पाद।सब्सट्रेट की तरह 4 इंच 0.35 मिमी।