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| ब्रांड नाम: | ZMKJ |
| मॉडल संख्या: | 6H-अर्द्ध |
| एमओक्यू: | 5pcs |
| कीमत: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कमरे में एकल वेफर पैकेज |
| भुगतान की शर्तें: | टी / टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
2INCH 6H- सेमी सिलिकॉन कार्बाइड sic वेफर 330um डमी अनुसंधान ग्रेड
कस्टमाइज़्ड आकार / 10x10x0.5 मिमी /2 इंच / 3 इंच / 4 इंच / 6 इंच 6 एच-एन / 4 एच-सीएमआई / 4 एच-एन एसआईसी सिल्लियां / उच्च शुद्धता 4 एच-एन 4 इंच 6 इंच डीआईए 150 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल (सिक) सब्सट्रेट वेफर्सएस / कस्टमाइज़्ड के रूप में कटे हुए विक वेफर्स
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कारबोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक होता है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होते हैं।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज पर काम करते हैं, या दोनों। SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह बढ़ते GaN उपकरणों के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च-ताप ताप स्प्रेडर के रूप में भी कार्य करता है। बिजली एलईडी।
| संपत्ति | 4H-SiC, सिंगल क्रिस्टल | 6H-SiC, सिंगल क्रिस्टल |
| जालीदार पैरामीटर्स | a = 3.076 = c = 10.053 Å | a = 3.073 = c = 15.117 Å |
| स्टैकिंग सीक्वेंस | ABCB | ABCACB |
| मोह कठोरता | ≈9.2 | ≈9.2 |
| घनत्व | 3.21 ग्राम / सेमी 3 |
उच्च शुद्धता 4 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विशिष्टता
| 2 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विशिष्टता | ||||||||||
| ग्रेड | शून्य एमपीडी ग्रेड | उत्पादन ग्रेड | अनुसंधान ग्रेड | डमी ग्रेड | ||||||
| व्यास | 50.8 मिमी .8 0.2 मिमी | |||||||||
| मोटाई | 330 माइक्रोन μ 25μm | |||||||||
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्ष पर: 4.0 ° की ओर <1120> N 0.5 ° 4H-N / 4H-SI के लिए अक्ष पर: <0001>-0.5 ° 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI के लिए | |||||||||
| माइक्रोपाइप घनत्व | ≤2 सेमी -2 | ≤5 सेमी -2 | ≤15 सेमी -2 | 2100 सेमी -2 | ||||||
| प्रतिरोधकता | 4H-एन | 0.015 ~ 0.028 Ω • सेमी | ||||||||
| 6H-एन | 0.02 ~ 0.1 cm • सेमी | |||||||||
| 4 / 6H-एसआई | Ω1E5 Ω · सेमी | |||||||||
| प्राथमिक फ्लैट | {} 10-10 ± 5.0 ° | |||||||||
| प्राथमिक फ्लैट लंबाई | 18.5 मिमी ± 2.0 मिमी | |||||||||
| माध्यमिक फ्लैट लंबाई | 10.0 मिमी ± 2.0 मिमी | |||||||||
| माध्यमिक फ्लैट अभिविन्यास | सिलिकॉन चेहरा: 90 ° CW।प्राइम फ्लैट से। 5.0 ° | |||||||||
| एज एक्सक्लूजन | 1 मिमी | |||||||||
| टीटीवी / धनुष / ताना | ≤10μm / ≤10μm / m15μm | |||||||||
| बेअदबी | पोलिश Ra Polish1 एनएम | |||||||||
| सीएमपी Ra≤0.5 एनएम | ||||||||||
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा दरारें | कोई नहीं | 1 अनुमत, ≤2 मिमी | संचयी लंबाई ulative 10 मिमी, एकल लंबाई length2 मिमी | |||||||
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेट्स | संचयी क्षेत्र ≤1% | संचयी क्षेत्र ≤1% | संचयी क्षेत्र ulative3% | |||||||
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा पॉलीटाइप क्षेत्र | कोई नहीं | संचयी क्षेत्र ulative2% | संचयी क्षेत्र ulative5% | |||||||
| उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा खरोंच | 1 × वेफर व्यास संचयी लंबाई के लिए 3 खरोंच | 5 × 1 × वेफर व्यास संचयी लंबाई तक खरोंच | 5 × 1 × वेफर व्यास संचयी लंबाई तक खरोंच | |||||||
| किनारे की चिप | कोई नहीं | 3 की अनुमति दी, प्रत्येक ≤0.5 मिमी | 5 अनुमत, ≤1 मिमी प्रत्येक | |||||||
6H-एन
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4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां
2 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां
3 इंच 4H एन-टाइप SiC वेफर 4 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां 6 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां |
2 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
3 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 4 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर |
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6H एन-टाइप SiC वेफर
2 इंच 6H N- टाइप SiC वेफर / इनगॉट |
2-6 इंच के लिए कस्टमाइज़्ड आकार
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1. आप ट्रेडिंग कंपनी या निर्माता हैं?
एक: हम व्यापार कंपनी हैं, लेकिन हमारे पास खुद का कारखाना है जो नीलम और एसआईसी वेफर्स पर केंद्रित है।
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