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| ब्रांड नाम: | ZMKJ |
| मॉडल संख्या: | बीज वेफर्स |
| एमओक्यू: | 3 पीसीएस |
| कीमत: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कमरे में एकल वेफर पैकेज |
| भुगतान की शर्तें: | टी / टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
2 इंच / 3 इंच / 4 इंच / 6 इंच 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC सिल्लियां /4 इंच 6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड एसआईसी 4H-N बीज क्रिस्टल क्रिस्टल विकास के लिए
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल के बारे में
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कारबोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होते हैं।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज पर संचालित होते हैं, या दोनों। SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह बढ़ते GaN उपकरणों के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च में गर्मी फैलाने वाला के रूप में भी कार्य करता है। बिजली एलईडी।
| संपत्ति | 4H-SiC, सिंगल क्रिस्टल | 6H-SiC, सिंगल क्रिस्टल |
| जालीदार पैरामीटर्स | a = 3.076 = c = 10.053 Å | a = 3.073 = c = 15.117 Å |
| स्टैकिंग सीक्वेंस | ABCB | ABCACB |
| मोह कठोरता | ≈9.2 | ≈9.2 |
| घनत्व | 3.21 ग्राम / सेमी 3 | 3.21 ग्राम / सेमी 3 |
| थेर्म।विस्तार गुणांक | 4-5 × 10-6 / कश्मीर | 4-5 × 10-6 / कश्मीर |
| अपवर्तन सूचकांक @ 750nm |
न = 2.61 न = २.६६ |
न = 2.60 न = २.६५ |
| अवाहक अचल | ग ~ 9.66 | ग ~ 9.66 |
| थर्मल चालकता (एन-प्रकार, 0.02 ओम) |
एक ~ 4.2 W / सेमी · K @ 298K c ~ 3.7 W / cm · K @ 298K |
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| थर्मल चालकता (अर्ध-इन्सुलेट) |
एक ~ 4.9 डब्ल्यू / सेमी · के @ 298K c ~ 3.9 W / cm · K @ 298K |
एक ~ 4.6 डब्ल्यू / सेमी · के @ 298K c ~ 3.2 W / cm · K @ 298K |
| ऊर्जा अंतराल | 3.23 ई.वी. | 3.02 ई.वी. |
| ब्रेक-डाउन विद्युत क्षेत्र | 3-5 × 106V / सेमी | 3-5 × 106V / सेमी |
| संतृप्ति बहाव वेग | 2.0 × 105m / s | 2.0 × 105m / s |
एसआईसी वेफर्स के लिए मानक विनिर्देश
4H-N बीज क्रिस्टल ग्रेड 4 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विशिष्टता
उत्पाद प्रदर्शनी:
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4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां
2 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां
3 इंच 4H एन-टाइप SiC वेफर 4 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां 6 इंच 4H N- टाइप SiC वेफर / सिल्लियां |
4H अर्ध-इन्सुलेटिंग / उच्च शुद्धता SiC वेफर 2 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
3 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 4 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर |
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6H एन-टाइप SiC वेफर
2 इंच 6H N- टाइप SiC वेफर / इनगॉट |
2-6 इंच के लिए कस्टमाइज़्ड आकार
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ZMKJ कंपनी के बारे में
ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग को उच्च गुणवत्ता वाला सिंगल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।सिलिकॉन वफ़र और GaAs वफ़र की तुलना में, अद्वितीय विद्युत गुणों और उत्कृष्ट तापीय गुणों के साथ SiC वफ़र एक अगली पीढ़ी का अर्धचालक पदार्थ है, उच्च तापमान और उच्च शक्ति उपकरण के लिए SiC वेफर अधिक उपयुक्त है।SiC वेफर को 2-6 इंच, दोनों 4H और 6H SiC, N- टाइप, नाइट्रोजन डोप्ड और सेमी-इंसुलेटिंग प्रकार में उपलब्ध कराया जा सकता है।अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
सामान्य प्रश्न:
प्रश्न: शिपिंग और लागत का तरीका क्या है?
एक: (1) हम डीएचएल, Fedex, ईएमएस आदि
(2) यह ठीक है यदि आपके पास अपना स्वयं का एक्सप्रेस खाता है, यदि नहीं, तो हम आपको उन्हें जहाज करने में मदद कर सकते हैं और
फ्रेट है मैंn वास्तविक निपटान के अनुसार।
क्यू: भुगतान करने के लिए कैसे?
एक: प्रसव से पहले टी / टी 100 before जमा।
प्रश्न: अपने moq के क्या है?
एक: (1) सूची के लिए, MOQ के 1 pcs है।अगर 2-5pcs यह बेहतर है।
(2) अनुकूलित commen उत्पादों के लिए, moq 10 sztuk अप है।
प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?
ए: (1) मानक उत्पादों के लिए
इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर देने के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवस की है।
अनुकूलित उत्पादों के लिए: आप संपर्क आदेश देने के बाद 2 -4 सप्ताह है।
प्रश्न: क्या आपके पास मानक उत्पाद हैं?
एक: हमारे मानक उत्पादों स्टॉक में है।सब्सट्रेट की तरह 4 इंच 0.35 मिमी।
