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| ब्रांड नाम: | zmkj |
| मॉडल संख्या: | गाएन-एफएस-सीयू-सी 50-एसएसपी 2 इंच |
| एमओक्यू: | 10pcs |
| कीमत: | 1200~2500usd/pc |
| पैकेजिंग विवरण: | वैक्यूम पैकेज द्वारा एकल वेफर मामला |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी |
2 इंच का GaN सब्सट्रेट टेम्पलेट,LED के लिए GaN वेफर,Ld के लिए अर्धचालक गैलियम नाइट्राइड वेफर,GaN टेम्पलेट, mocvd GaN वेफर,स्वतंत्र खड़े GaN सब्सट्रेट कस्टम आकार द्वारा,LED के लिए छोटे आकार का GaN वेफर,mocvd गैलियम नाइट्राइड वेफर 10x10 मिमी,5x5mm, 10x5mm GaN वेफर, गैर-पोलर फ्रीस्टैंडिंग GaN सब्सट्रेट ((a-plane और m-plane)
III - नाइट्राइड 2 इंच लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले पावर डिवाइस के लिए फ्री स्टैंडिंग गैएन वेफर
GaN वेफर विशेषता
गैलियम नाइट्राइड एक प्रकार का व्यापक-अंतराल वाला यौगिक अर्धचालक है। गैलियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट है
एक उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट। यह मूल HVPE विधि और वेफर प्रसंस्करण तकनीक के साथ बनाया गया है, जिसे मूल रूप से चीन में 10+ वर्षों के लिए विकसित किया गया है।यह उच्च क्रिस्टलीय है।, अच्छी एकरूपता, और बेहतर सतह की गुणवत्ता। GaN सब्सट्रेट का उपयोग कई प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है, सफेद एलईडी और एलडी ((बैंगनी, नीला और हरा) के लिए।बिजली और उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरण अनुप्रयोगों के लिए विकास में प्रगति हुई है.
निषिद्ध बैंड चौड़ाई (प्रकाश उत्सर्जन और अवशोषण) पराबैंगनी, दृश्य प्रकाश और अवरक्त को कवर करती है।
2 इंच फ्रीस्टैंडिंग GaN सब्सट्रेट विनिर्देश
| n-प्रकार | पी-प्रकार | अर्ध-अवरोधक | |
|---|---|---|---|
| n [cm-3] | 10 तक19 | - | - |
| p [cm-3] | - | 10 तक18 | - |
| p [cm-3] | 10-3-10-2 | 102-103 | 109-1012 |
| [cm]2/Vs] | 150 तक | - | - |
| कुल मोटाई भिन्नता (टीटीवी) /μm | <40 | <40 | <40 |
| धनुष/μm | <10 | <10 | <10 |
| एफडब्ल्यूएचएम [आर्कसेकंड] एक्स-रे रॉकिंग वक्र, एपि-तैयार सतह, 100 एम × 100 एम स्लिट पर | <20 | ||
| विस्थापन घनत्व [cm]-2] | <105 | ||
| दिशा भंग/डिग्री | मांग पर | ||
| सतह खत्म | कट / ग्राउंड के रूप में मोटे तौर पर पॉलिश ऑप्टिकली पॉलिश (आरएमएस < 3 एनएम) एपि-तैयार (आरएमएस < 0.5 एनएम) |
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इस विनिर्देश के फायदे
| छोटी वक्रता | कम विस्थापन | अधिक विद्युत वाहक | |
| लेजर | उच्च उपज | निचला सीमा वोल्टेज | उच्च शक्ति |
| एल ई डी | बेहतर दक्षता (IQE) | ||
| ट्रांजिस्टर | निचला रिसाव प्रवाह | उच्च पो | |
आवेदनः
GaN का उपयोग कई क्षेत्रों में किया जा सकता है जैसे कि एलईडी डिस्प्ले, हाई-एनर्जी डिटेक्शन और इमेजिंग,
लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस आदि
हमारे ओईएम कारखाने के बारे में
हमारी फैक्ट्रॉय उद्यम दृष्टि
हम अपने कारखाने के साथ उद्योग के लिए उच्च गुणवत्ता वाले गैएन सब्सट्रेट और अनुप्रयोग प्रौद्योगिकी प्रदान करेंगे।
उच्च गुणवत्ता वाली GaN सामग्री III-नाइट्राइड्स के आवेदन के लिए प्रतिबंधात्मक कारक है, उदाहरण के लिए लंबा जीवन
और उच्च स्थिरता एलडी, उच्च शक्ति और उच्च विश्वसनीयता माइक्रोवेव उपकरणों, उच्च चमक
और उच्च दक्षता, ऊर्जा बचत एलईडी।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: आप लॉजिस्टिक्स और लागत की आपूर्ति कैसे कर सकते हैं?
(1) हम डीएचएल, फेडेक्स, टीएनटी, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ आदि स्वीकार करते हैं।
(2) यदि आपके पास अपना एक्सप्रेस नंबर है, तो यह बहुत अच्छा है।
यदि नहीं, तो हम आपको डिलीवरी करने में सहायता कर सकते हैं। फ्रेट = USD25.0 ((पहला वजन) + USD12.0/kg
प्रश्न: डिलीवरी का समय क्या है?
(1) मानक उत्पादों के लिए जैसे कि 2 इंच 0.33 मिमी के वेफर।
इन्वेंट्री के लिए: डिलीवरी ऑर्डर के 5 कार्य दिवसों के बाद होती है।
अनुकूलित उत्पादों के लिएः डिलीवरी आदेश के बाद 2 या 4 कार्य सप्ताह है।
प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
100% टी/टी, पेपैल, वेस्ट यूनियन, मनीग्राम, सुरक्षित भुगतान और व्यापार आश्वासन।
प्रश्न: MOQ क्या है?
(1) स्टॉक के लिए, MOQ 5pcs है।
(2) अनुकूलित उत्पादों के लिए, MOQ 5pcs-10pcs है।
यह मात्रा और तकनीक पर निर्भर करता है।
प्रश्न: क्या आपके पास सामग्री के लिए निरीक्षण रिपोर्ट है?
हम अपने उत्पादों के लिए ROHS रिपोर्ट और पहुंच रिपोर्ट प्रदान कर सकते हैं।
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