ब्रांड नाम: | zmkj |
मॉडल संख्या: | गाएन-एफएस-सीयू-सी 50-एसएसपी 2 इंच |
एमओक्यू: | 10pcs |
कीमत: | 1200~2500usd/pc |
पैकेजिंग विवरण: | वैक्यूम पैकेज द्वारा एकल वेफर मामला |
भुगतान की शर्तें: | टी/टी |
2 इंच GaN सब्सट्रेट टेम्पलेट, LeD के लिए GaN वेफर, ld, GaN टेम्पलेट, mocvd GaN वेफर, स्वनिर्धारित आकार के लिए फ्री-स्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स, एलईडी के लिए छोटे आकार GaN वेफर, 5x5mm, 5x5mm, 5x5mm, 5x5mm के साथ छोटे आकार के GaN Substrates वेफर, गैर-ध्रुवीय फ्रीस्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स (एक विमान और एम-प्लेन)
GaN वेफर विशेषता
गैलियम नाइट्राइड एक तरह का चौड़ी खाई वाला अर्धचालक है। गैलियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट है
एक उच्च गुणवत्ता वाला एकल-क्रिस्टल सब्सट्रेट। इसे मूल HVPE विधि और वेफर प्रोसेसिंग तकनीक से बनाया गया है, जिसे मूल रूप से चीन में 10 + वर्षों के लिए विकसित किया गया है। सुविधाएँ उच्च क्रिस्टलीय, अच्छी एकरूपता और बेहतर सतह गुणवत्ता हैं। GaN सब्सट्रेट्स का उपयोग कई प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है, सफेद एलईडी और LD (बैंगनी, नीला और हरा) के लिए इसके अलावा, विकास शक्ति और उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस अनुप्रयोगों के लिए प्रगति हुई है।
निषिद्ध बैंड की चौड़ाई (प्रकाश उत्सर्जक और अवशोषण) पराबैंगनी, दृश्य प्रकाश और अवरक्त को कवर करती है।
2 इंच फ्री-स्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स विशिष्टता
n- प्रकार | पी-प्रकार | अर्द्ध इन्सुलेट | |
---|---|---|---|
एन [सेमी -3 ] | १० १ ९ तक | - | - |
पी [सेमी -3 ] | - | १० १ 10 तक | - |
पी [सेमी -3 ] | 10 -3 -10 -2 | १० २ -१० ३ | १० ९ -१० १२ |
/ [सेमी 2 / बनाम] | 150 तक | - | - |
कुल मोटाई भिन्नता (TTV) / ationm | <40 | <40 | <40 |
बो / सुक्ष्ममापी | <10 | <10 | <10 |
FWHM [arcsec] एक्स-रे रॉकिंग कर्व, एपि-रेडी सतह, 100 माइक्रोन x 100 माइक्रोन स्लिट पर | <20 | ||
अव्यवस्था घनत्व [सेमी -2 ] | <१० ५ | ||
Misorientation / डिग्री | मांग पर | ||
सतह खत्म | कट / जमीन के रूप में मोटे तौर पर पॉलिश वैकल्पिक रूप से पॉलिश (RMS <3 एनएम) एपि-रेडी (RMS <0.5 एनएम) |
इस विशिष्टता के लाभ
छोटी वक्रता | कम अव्यवस्थाएं | अधिक विद्युत वाहक | |
लेजर | उच्च पैदावार | कम दहलीज वोल्टेज | उच्च शक्ति |
एल ई डी | बेहतर दक्षता (IQE) | ||
ट्रांजिस्टर | कम रिसाव वर्तमान | उच्च पद |
आवेदन:
GaN का उपयोग कई क्षेत्रों में किया जा सकता है जैसे कि LED डिस्प्ले, हाई-एनर्जी डिटेक्शन और इमेजिंग,
लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस, आदि।
हमारे OEM कारखाने के बारे में
हमारे फैक्टरॉय एंटरप्राइज विजन
हम हमारे कारखाने के साथ उद्योग के लिए उच्च गुणवत्ता वाले GaN सब्सट्रेट और एप्लिकेशन तकनीक प्रदान करेंगे।
उच्च गुणवत्ता वाला GaNmaterial III- नाइट्राइड्स अनुप्रयोग के लिए निरोधक कारक है, जैसे लंबी आयु
और उच्च स्थिरता एलडी, उच्च शक्ति और उच्च विश्वसनीयता माइक्रो-वेव डिवाइस, उच्च चमक
और उच्च दक्षता, ऊर्जा की बचत एलईडी।
-सामान्य प्रश्न -
प्रश्न: क्या आप रसद और लागत की आपूर्ति कर सकते हैं?
(1) हम डीएचएल, Fedex, टीएनटी, यूपीएस, ईएमएस, एस एफ और आदि
(२) यदि आपके पास अपना खुद का एक्सप्रेस नंबर है, तो यह बहुत अच्छा है।
यदि नहीं, तो हम आपको वितरित करने में सहायता कर सकते हैं। फ्रेट = USD25.0 (पहला वजन) + USD12.0 / किग्रा
प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?
(1) मानक उत्पादों के लिए जैसे 2 इंच 0.33 मिमी वेफर।
इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवस है।
अनुकूलित उत्पादों के लिए: ऑर्डर के बाद डिलीवरी 2 या 4 वर्कवीक है।
क्यू: भुगतान करने के लिए कैसे?
100 Money टी / टी, पेपैल, पश्चिम संघ, मनीग्राम, सुरक्षित भुगतान और व्यापार आश्वासन।
प्रश्न: moq के क्या है?
(1) इन्वेंट्री के लिए, Moq 5 sztuk है।
(2) अनुकूलित उत्पादों के लिए, moq 5 sztuk-10 sztuk है।
यह मात्रा और टेकनीक पर निर्भर करता है।
प्रश्न: क्या आपके पास सामग्री के लिए निरीक्षण रिपोर्ट है?
हम ROHS रिपोर्ट की आपूर्ति कर सकते हैं और हमारे उत्पादों के लिए रिपोर्ट तक पहुँच सकते हैं।
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