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| ब्रांड नाम: | ZMKJ |
| मॉडल संख्या: | 4 इंच पी-ग्रेड |
| एमओक्यू: | 1pcs |
| कीमत: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कमरे में एकल वेफर पैकेज |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, Moneygram |
4H-N परीक्षण ग्रेड 6 इंच व्यास 150 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल (sic) सब्सट्रेट वेफर्स, sic क्रिस्टल बैंगटsic अर्धचालक सब्सट्रेट,सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वेफर्स/ कस्टम-कट किए गए सिलिकॉन वेफर्स
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कार्बोरुंडम के नाम से भी जाना जाता है, रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन युक्त एक अर्धचालक है।उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज पर काम करने वाले अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में सीआईसी का प्रयोग किया जाता है, या दोनों.SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह बढ़ रही GaN उपकरणों के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है और यह भी उच्च शक्ति एलईडी में एक गर्मी फैलाव के रूप में कार्य करता है
4 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विनिर्देश
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ग्रेड |
शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (Z ग्रेड) |
उत्पादन ग्रेड (पी ग्रेड) |
डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
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व्यास |
99.5-100 मिमी |
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मोटाई |
4H-N |
350 μm±25 μm |
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4H-SI |
500 μm±25 μm |
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वेफर अभिविन्यास |
धुरी से बाहरः 4.0° 1120 > 4H-N के लिए ± 0.5° अक्ष परः <0001> 4H-SI के लिए ± 0.5° |
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माइक्रोपाइप घनत्व |
4H-N |
≤0.5 सेमी-2 |
≤2 सेमी-2 |
≤15 सेमी-2 |
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4H-SI |
≤1 सेमी-2 |
≤5 सेमी-2 |
≤15 सेमी-2 |
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प्रतिरोध |
4H-N |
0.015~0.025 Ω·cm |
0.015~0.028 Ω·cm |
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4H-SI |
≥1E7 Ω·cm |
≥1E5 Ω·cm |
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प्राथमिक फ्लैट |
{10-10}±5.0° |
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प्राथमिक फ्लैट लंबाई |
32.5 मिमी±2.0 मिमी |
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माध्यमिक समतल लंबाई |
18.0 मिमी±2.0 मिमी |
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माध्यमिक फ्लैट ओरिएंटेशन |
सिलिकॉन ऊपर की ओर मुड़ा हुआः प्राइम फ्लैट से 90° सीडब्ल्यू ±5.0° |
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किनारे का बहिष्करण |
2 मिमी |
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LTV/TTV/Bow/Warp |
≤4μm/≤10μm /≤25μm /≤35μm |
≤10μm/≤15μm /≤25μm /≤40μm |
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कड़वाहट |
पोलिश रा≤1 एनएम |
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सीएमपी रा≤0.5 एनएम |
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उच्च तीव्रता प्रकाश से दरारें |
कोई नहीं |
संचयी लंबाई≤10mm, एकल लंबाई≤2mm |
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उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा हेक्स प्लेट |
संचयी क्षेत्र≤0०.०५% |
संचयी क्षेत्र≤0.1% |
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उच्च तीव्रता प्रकाश द्वारा बहुप्रकार क्षेत्र |
कोई नहीं |
संचयी क्षेत्र≤3% |
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दृश्य कार्बन समावेशन |
संचयी क्षेत्र≤0०.०५% |
संचयी क्षेत्र≤3% |
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उच्च तीव्रता प्रकाश से खरोंच |
कोई नहीं |
संचयी लंबाई≤1×वेफर का व्यास |
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एज चिप |
कोई नहीं |
5 की अनुमति है,≤1 मिमी प्रत्येक |
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उच्च तीव्रता वाली रोशनी से प्रदूषण |
कोई नहीं |
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पैकेजिंग |
मल्टी-वेफर कैसेट या सिंगल-वेफर कंटेनर |
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नोट्स:
* खांचे के बाहर निकाले जाने वाले क्षेत्र को छोड़कर पूरे वेफर सतह पर दोष सीमा लागू होती है।
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4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर/इंगोट
2 इंच 4H एन-टाइप सीआईसी वेफर/इंगोट
3 इंच 4H एन-टाइप SiC वेफर 4 इंच 4H एन-टाइप सीआईसी वेफर/इंगोट 6 इंच 4 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर/इंगोट |
4H अर्ध-अवरोधक / उच्च शुद्धतासीआईसी वेफर 2 इंच 4H अर्ध-अछूता SiC वेफर
3 इंच 4H अर्ध-अवरोधक सीआईसी वेफर 4 इंच 4H अर्ध-अछूता SiC वेफर 6 इंच 4H अर्ध-अछूता SiC वेफर |
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6H एन-टाइप सीआईसी वेफर
2 इंच 6H एन-टाइप SiC वेफर/इंगोट |
2-6 इंच के लिए अनुकूलित आकार
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सामग्री खरीद विभाग आपके उत्पाद के उत्पादन के लिए आवश्यक सभी कच्चे माल को इकट्ठा करने के लिए जिम्मेदार है।रासायनिक और भौतिक विश्लेषण सहित हमेशा उपलब्ध हैं.
आपके उत्पादों के निर्माण या मशीनिंग के दौरान और उसके बाद, गुणवत्ता नियंत्रण विभाग यह सुनिश्चित करने में शामिल है कि सभी सामग्री और सहिष्णुता आपके विनिर्देशों को पूरा करें या उससे अधिक हों।
सेवा
हमें अर्धचालक उद्योग में 5 वर्ष से अधिक के अनुभव के साथ बिक्री इंजीनियरिंग स्टाफ होने पर गर्व है।वे तकनीकी प्रश्नों के उत्तर देने के साथ-साथ आपकी आवश्यकताओं के लिए समय पर उद्धरण प्रदान करने के लिए प्रशिक्षित हैं.
जब भी आपको कोई समस्या हो, हम आपके साथ हैं और 10 घंटे में इसका समाधान कर देंगे।
कीवर्डः सीसी वेफर, सिलिकॉन कार्बाइड वेफर, प्राइम ग्रेड डमी ग्रेड
