ब्रांड नाम: | ZMSH |
मॉडल संख्या: | SOI Wafe |
एसओआई वेफर सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर वेफर 4 इंच 5 इंच 6 इंच 8 इंच (100) (111) पी प्रकार एन प्रकार
एसओआई वेफर सिलिकॉन एकल क्रिस्टल की एक पतली परत को सिलिकॉन डाइऑक्साइड या कांच से बने एक इन्सुलेटर पर कवर किया जाता है (इसलिए नाम "इन्सुलेशन अस्तर पर सिलिकॉन",जिसे अक्सर संक्षिप्त रूप से SOI कहा जाता है)एसओआई की पतली परत पर निर्मित ट्रांजिस्टर सरल सिलिकॉन चिप पर निर्मित ट्रांजिस्टरों की तुलना में तेजी से काम कर सकते हैं और कम बिजली का उपभोग कर सकते हैं।सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर (एसओआई) तकनीक एक परतदार सिलिकॉन-इन्सुलेटर-सिलिकॉन सब्सट्रेट में सिलिकॉन अर्धचालक उपकरणों का निर्माण है, उपकरण के भीतर परजीवी क्षमता को कम करने के लिए, जिससे प्रदर्शन में सुधार होता है।एसओआई आधारित उपकरण पारंपरिक सिलिकॉन-निर्मित उपकरणों से भिन्न होते हैं क्योंकि सिलिकॉन जंक्शन एक विद्युत इन्सुलेटर के ऊपर होता है, आमतौर पर सिलिकॉन डाइऑक्साइड या नीलम (इन प्रकार के उपकरणों को नीलम पर सिलिकॉन या एसओएस कहा जाता है) ।उच्च-प्रदर्शन रेडियो आवृत्ति (आरएफ) और विकिरण-संवेदनशील अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किए जाने वाले नीलम के साथ, और अन्य माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में कम शॉर्ट-चैनल प्रभाव के लिए सिलिकॉन डाइऑक्साइड।
व्यास | 4" | 5" | 6" | 8" | |
उपकरण परत | डोपेंट | बोरॉन, फोस, आर्सेनिक, एंटीमोन, अनडोप | |||
अभिविन्यास | <100>, <111> | ||||
प्रकार | सिमॉक्स, बेसोई, सिम्बॉन्ड, स्मार्ट-कट | ||||
प्रतिरोध | 0.001-20000 ओम-सेमी | ||||
मोटाई | >1.5 | ||||
टीटीवी | <2um | ||||
बॉक्स परत | मोटाई | 0.2-4.0um | |||
एकरूपता | < 5% | ||||
सब्सट्रेट | अभिविन्यास | <100>, <111> | |||
प्रकार/डोपेंट | पी प्रकार/बोरोन, एन प्रकार/फोस, एन प्रकार/एएस, एन प्रकार/एसबी | ||||
मोटाई | 200-1100 | ||||
प्रतिरोध | 0.001-20000 ओम-सेमी | ||||
सतह समाप्त | पी/पी, पी/ई | ||||
कण | <10@.0.3um |
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अंतिम बाजारः
1प्रश्न: इन्सुलेटर्स पर सिलिकॉन का विद्युतरोधक स्थिरांक क्या है?
उत्तर: आम तौर पर इस्तेमाल की जाने वाली सिलिकॉन सामग्री के लिए डाईलेक्ट्रिक स्थिर हैंः सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO2) - डाईलेक्ट्रिक स्थिर = 3.9सिलिकॉन नाइट्राइड (SiNx) - डायलेक्ट्रिक स्थिर = 75शुद्ध सिलिकॉन (Si) - डायलेक्ट्रिक स्थिर = 117
2प्रश्न: एसओआई वेफर्स के क्या फायदे हैं?
उत्तर: SOI वेफर्स में विकिरण प्रतिरोध अधिक होता है, जिससे उन्हें नरम त्रुटियों का खतरा कम होता है। उच्च घनत्व से उपज भी बढ़ जाती है, जिससे वेफर उपयोग में सुधार होता है।एसओआई वेफर्स के अतिरिक्त लाभों में तापमान पर कम निर्भरता और कम एंटीना मुद्दे शामिल हैं.
1. GaN-on-Si ((111) N/P T प्रकार का सब्सट्रेट Epitaxy 4 इंच 6 इंच 8 इंच एलईडी या पावर डिवाइस के लिए
2एन-प्रकार का सीआईसी ऑन सीआई यौगिक वेफर