2 इंच 4 इंच 6 इंच 8 इंच 12 इंच Si वेफर सिलिकॉन वेफर पॉलिशिंग undoped पी प्रकार एन प्रकार अर्धचालक

सी वाफ़र का वर्णन:

सिलिकॉन वेफर एक ऐसी सामग्री है जिसका उपयोग अर्धचालकों के उत्पादन के लिए किया जाता है, जिसे सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में पाया जा सकता है जो लोगों के जीवन को बेहतर बनाते हैं।सिलिकॉन ब्रह्मांड में सबसे आम तत्व के रूप में दूसरे स्थान पर हैइसका उपयोग मुख्य रूप से प्रौद्योगिकी और इलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्र में अर्धचालक के रूप में किया जाता है। अधिकांश लोगों को अपने जीवन में एक वास्तविक सिलिकॉन वेफर का सामना करने का मौका मिला है।इस सुपर-फ्लैट डिस्क को दर्पण जैसी सतह तक परिष्कृत किया जाता हैइसके अलावा यह सूक्ष्म सतह अनियमितताओं से भी बना है जो इसे दुनिया की सबसे सपाट वस्तु बनाता है। यह भी बेहद साफ और अशुद्धियों और सूक्ष्म कणों से मुक्त है,गुण जो इसे आधुनिक अर्धचालकों के लिए सही सब्सट्रेट सामग्री बनाने में आवश्यक हैं.
 
सी वेफर का चरित्र:
यंग्स मॉड्यूलः लगभग 130-185 जीपीए, 300 मिमी सिलिकॉन वेफर की कठोरता का संकेत देता है
टूटने की कठोरताः सिलिकॉन में टूटने की कठोरता कम होती है, जिसका अर्थ है कि यह तनाव के तहत दरार करने के लिए प्रवण होता है।
थर्मल कंडक्टिविटीः 300K पर लगभग 149 W/m·K, जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उत्पन्न गर्मी को फैलाने के लिए अपेक्षाकृत उच्च और फायदेमंद है।
थर्मल विस्तार गुणांकः लगभग 2.6 x 10^-6 /K, यह दर्शाता है कि तापमान परिवर्तन के साथ वेफर कितना विस्तार करेगा।
बैंड गैप: सिलिकॉन में कमरे के तापमान पर लगभग 1.1 eV का एक अप्रत्यक्ष बैंड गैप होता है, जो ट्रांजिस्टर जैसे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए उपयुक्त है।
प्रतिरोधः डोपिंग के आधार पर भिन्न होता है; आंतरिक सिलिकॉन में एक उच्च प्रतिरोध (~ 10 ^ 3 Ω · cm) होता है, जबकि डोपेड सिलिकॉन में 10 ^ -3 से 10 ^ 3 Ω · cm तक प्रतिरोध हो सकते हैं।
डायलेक्ट्रिक निरंतरः लगभग 11.7 1 मेगाहर्ट्ज पर, जो सिलिकॉन से बने उपकरणों की क्षमता को प्रभावित करता है।
रासायनिक स्थिरताः सिलिकॉन रासायनिक रूप से स्थिर है और हाइड्रोफ्लोरिक एसिड (एचएफ) को छोड़कर कमरे के तापमान पर अधिकांश एसिड और क्षार के प्रतिरोधी है।
ऑक्सीकरणः उच्च तापमान पर ऑक्सीजन के संपर्क में आने पर सिलिकॉन एक मूल ऑक्साइड परत (SiO2) बनाता है, जिसका उपयोग अछूता और सुरक्षात्मक परतों के लिए अर्धचालक उपकरण निर्माण में किया जाता है।
 
Si का रूपवेफर:
 

 
सि वेफर की भौतिक तस्वीरेंः
 

 सिफ़ेट वेफर का प्रयोगः

1माइक्रोचिप उत्पादन और एकीकृत सर्किट निर्माण
2एमईएमएस और माइक्रोइलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम
3अर्धचालक और सेंसर निर्माण
4एलईडी प्रकाश व्यवस्था और लेजर डायोड निर्माण
5सौर/फोटोवोल्टिक सेल और वेफर्स
6ऑप्टिकल उपकरण के घटक
7आर एंड डी प्रोटोटाइप और परीक्षण
 

सी वेफर के अनुप्रयोग चित्रः

 
 
Si का पैकेजिंग चित्रवेफर:

अनुकूलन:

हम निम्नलिखित पहलुओं सहित आकार, मोटाई और आकार को अनुकूलित कर सकते हैंः
क्रिस्टल अभिविन्यासः 300 मिमी सिलिकॉन वेफर के लिए सामान्य अभिविन्यास में <100>, <110>, और <111> शामिल हैं, प्रत्येक विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक गुणों और लाभों की पेशकश करता है।
डोपेंट्सः 300 मिमी सिलिकॉन वेफर को उनके विद्युत गुणों को बदलने के लिए फास्फोरस (एन-प्रकार), बोरॉन (पी-प्रकार), आर्सेनिक और एंटीमोन जैसे तत्वों से डोप किया जा सकता है।
डोपिंग एकाग्रताः आवेदन के आधार पर व्यापक रूप से भिन्न हो सकता है,बहुत कम सांद्रता (~10^13 परमाणु/cm^3) से उच्च प्रतिरोधकता वाले वेफर्स के लिए बहुत उच्च सांद्रता (~10^20 परमाणु/cm^3) तक कम प्रतिरोधकता वाले वेफर्स के लिए.
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

1प्रश्न: सिलिकॉन वेफर का उपयोग किसके लिए किया जाता है?
उत्तरःइलेक्ट्रॉनिक्स में, एक वेफर (जिसे स्लाइस या सब्सट्रेट भी कहा जाता है) अर्धचालक का एक पतला स्लाइस है, जैसे क्रिस्टलीय सिलिकॉन (सी-सी, सिलिकॉन), जिसका उपयोग एकीकृत सर्किट के निर्माण के लिए किया जाता है और,फोटोवोल्टिक में, सौर कोशिकाओं का निर्माण करने के लिए।
2प्रश्न: सिलिकॉन वेफर और चिप में क्या अंतर है?
उत्तरः जबकि चिप्स और वेफर्स का उपयोग आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक्स में एक दूसरे के लिए किया जाता है, दोनों के बीच कुछ उल्लेखनीय अंतर हैं।मुख्य अंतरों में से एक यह है कि एक चिप या एकीकृत सर्किट इलेक्ट्रॉनिक्स का एक संयोजन है, जबकि एक वेफर सिलिकॉन का एक पतला टुकड़ा है जिसका उपयोग एकीकृत सर्किट के गठन के लिए किया जाता है।
 

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