 |
अर्ध-अवरोधक SiC-On-Si कम्पोजिट सब्सट्रेट 4H उच्च प्रतिरोधता एलईडी प्रदर्शित करते हैं
उत्पाद विवरण:
| Place of Origin: | China |
| ब्रांड नाम: | ZMSH |
भुगतान & नौवहन नियमों:
| प्रसव के समय: | 2-4सप्ताह |
|---|---|
| भुगतान शर्तें: | टी/टी |
|
विस्तार जानकारी |
|||
| सब्सट्रेट सामग्री: | सिलिकॉन कार्बाइड पर सिलिकॉन कंपाउंड वेफर | सामने की सतह: | सीएमपी पॉलिश, रा <0.5 एनएम (एक तरफ पॉलिश, एसएसपी) |
|---|---|---|---|
| द्वितीयक समतल लंबाई: | 18.0 +/- 2.0 मिमी | प्रकार: | अर्द्ध-प्रकार |
| प्राथमिक फ्लैट लंबाई: | 32.5 +/- 2.5 मिमी | व्यास: | 100 मिमी +/- 0.5 मिमी |
| कार्बन सामग्री: | 0.5 पीपीएम | माध्यमिक फ्लैट ओरिएंटेशन:: | प्राइमरी फ़्लैट से 90 डिग्री |
| प्रमुखता देना: | एलईडी SiC Si Composite substrates पर,SiC Si Composite substrates पर |
||
उत्पाद विवरण
अर्ध-अवरोधक सीआईसी ऑन सीआई कम्पोजिट सब्सट्रेट 4 एच प्रदर्शनी उच्च प्रतिरोधता एलईडी
SiC On Si कम्पोजिट सब्सट्रेट का उत्पाद विवरण:
सिलिकॉन कंपाउंड वेफर पर अर्ध-अवरोधक सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एक विशेष प्रकार का वेफर है जो सिलिकॉन कार्बाइड और सिलिकॉन सामग्री के गुणों को जोड़ती है।वेफर में सिलिकॉन सब्सट्रेट के ऊपर अर्ध-अवरोधक सिलिकॉन कार्बाइड की एक परत होती है"अर्ध-अवरोधक" शब्द से यह संकेत मिलता है कि सामग्री में विद्युत गुण हैं जो शुद्ध रूप से चालक या शुद्ध रूप से अछूता नहीं हैं, लेकिन बीच में कहीं हैं।
सीआईसी का चरित्र सीआई कम्पोजिट सब्सट्रेट पर:
1उच्च प्रतिरोधकताः सी-वेफर्स पर अर्ध-अवरोधक सीआईसी में उच्च प्रतिरोधकता होती है, जिसका अर्थ है कि नियमित प्रवाहकीय सामग्री की तुलना में उनकी विद्युत चालकता कम होती है।
2कम रिसावः अपनी अर्ध-अवरोधक प्रकृति के कारण, इन वेफर्स में कम रिसाव धाराएं होती हैं, जिससे उन्हें न्यूनतम विद्युत रिसाव की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाया जाता है।
3उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेजः आमतौर पर उनके पास एक उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज होता है, जिससे वे बिना ब्रेकडाउन के उच्च विद्युत क्षेत्रों का सामना कर सकते हैं।
SiC On Si कम्पोजिट सब्सट्रेट की पैरामीटर सूची:
| पद | विनिर्देश |
| व्यास | 150 ± 0.2 मिमी |
| SiC बहुप्रकार | 4H |
| सीआईसी प्रतिरोध | ≥1E8 Ω·cm |
| ट्रांसफर सीआईसी परत मोटाई | ≥0.1 μm |
| शून्य | ≤5 ea/वेफर (2 मिमी > D > 0.5 मिमी) |
| सामने की रगड़ता | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| दिशा-निर्देश | <111>/<100>/<110> |
| Si प्रकार | पी/एन |
| फ्लैट/नोच | फ्लैट/नोच |
| एज चिप, स्क्रैच, क्रैक (दृश्य निरीक्षण) | कोई नहीं |
| टीटीवी | ≤5 μm |
| मोटाई | 500/625/675 ± 25 μm |
SiC On Si कम्पोजिट सब्सट्रेट के अनुप्रयोग:
1उच्च आवृत्ति वाले उपकरणः उच्च आवृत्ति वाले उपकरणों जैसे आरएफ ट्रांजिस्टर, एम्पलीफायर और माइक्रोवेव सिस्टम में आमतौर पर सीआईसी पर अर्ध-अछूता सीआईसी का उपयोग किया जाता है।
2पावर इलेक्ट्रॉनिक्स: वे पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोग पाते हैं जहां उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और कम विद्युत हानि कुशल बिजली रूपांतरण के लिए महत्वपूर्ण हैं।
3सेंसर: इन वेफर्स का उपयोग सेंसर प्रौद्योगिकियों में किया जाता है जहां सटीक सेंसरिंग और माप के लिए उच्च प्रतिरोध और कम रिसाव विशेषताओं की आवश्यकता होती है।
4ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स: फोटोडटेक्टर और एलईडी जैसे ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में, सीआई वेफर्स पर अर्ध-अछूता सीआईसी उनके अद्वितीय विद्युत गुणों के कारण बेहतर प्रदर्शन प्रदान कर सकता है।
अनुप्रयोगों का चित्रः
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:
A: The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs