उत्पाद विवरण

सिलिकॉन वेफर CZ अभिविन्यास111 प्रतिरोधः 1-10 (ओह. सेमी) एकल पक्ष या डबल पक्ष पॉलिश

उत्पाद सार

हमारे Si वेफर उच्च शुद्धता और असाधारण एकरूपता प्रदान करता है, अर्धचालक और फोटोवोल्टिक अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श। क्रिस्टल संरचना और सतह की गुणवत्ता पर सटीक नियंत्रण के साथ,यह वेफर उच्च प्रदर्शन वाले उपकरणों के निर्माण को सक्षम बनाता हैचाहे इसका उपयोग एकीकृत सर्किट, सौर कोशिकाओं या एमईएमएस उपकरणों में किया जाए, हमारा सीई वेफर विभिन्न उद्योगों में मांग वाले अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीयता और दक्षता प्रदान करता है।

उत्पाद शोकेस

उत्पाद अनुप्रयोग

1. एकीकृत सर्किट (आईसी): हमारा सीआई वेफर स्मार्टफोन, कंप्यूटर सहित इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में उपयोग किए जाने वाले एकीकृत सर्किट के निर्माण के लिए बुनियादी सामग्री के रूप में कार्य करता है,और ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्सयह अर्धचालक परतों की जमाव और विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक घटकों को एक एकल चिप में एकीकृत करने के लिए एक स्थिर मंच प्रदान करता है।

2. फोटोवोल्टिक (पीवी) कोशिकाएं: हमारे सीई वेफर का उपयोग फोटोवोल्टिक अनुप्रयोगों के लिए उच्च दक्षता वाले सौर कोशिकाओं के उत्पादन में किया जाता है। यह अर्धचालक परतों की जमाव के लिए सब्सट्रेट के रूप में कार्य करता है,सौर पैनलों और नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों में सूर्य के प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करने की सुविधा।

3. एमईएमएस उपकरण: हमारा सीई वेफर माइक्रोइलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम (एमईएमएस) उपकरणों जैसे त्वरणमापक, gyroscopes और दबाव सेंसर के निर्माण को सक्षम बनाता है।यह यांत्रिक और विद्युत घटकों के एकीकरण के लिए एक स्थिर आधार प्रदान करता है, विभिन्न अनुप्रयोगों में सटीक संवेदन और नियंत्रण की अनुमति देता है।

4. पावर इलेक्ट्रॉनिक्स: हमारे सीई वेफर का उपयोग पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए डायोड, ट्रांजिस्टर और थाइरिस्टर्स जैसे पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों में किया जाता है।यह विद्युत वाहनों में कुशल ऊर्जा रूपांतरण और नियंत्रण की अनुमति देता है, नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों और औद्योगिक स्वचालन उपकरण।

5. ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणः हमारा सीई वेफर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे कि फोटोडेटेक्टर, ऑप्टिकल मॉड्यूलेटर और लाइट-एमिटिंग डायोड (एलईडी) के विकास का समर्थन करता है।यह ऑप्टिकल कार्यक्षमताओं के साथ अर्धचालक सामग्री के एकीकरण के लिए एक मंच के रूप में कार्य करता है, दूरसंचार, डेटा संचार और ऑप्टिकल सेंसिंग में अनुप्रयोगों को सक्षम करता है।

6. माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स: हमारे सीई वेफर सेंसर, एक्ट्यूएटर और आरएफ घटकों सहित विभिन्न माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए आवश्यक हैं।यह माइक्रोस्केल आयामों वाले इलेक्ट्रॉनिक घटकों के एकीकरण के लिए एक स्थिर और समान सब्सट्रेट प्रदान करता है, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑटोमोटिव सिस्टम और चिकित्सा उपकरणों में प्रगति का समर्थन करता है।

7. सेंसर: हमारे सीआई वेफर का उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए सेंसर के उत्पादन में किया जाता है, जिसमें पर्यावरण निगरानी, जैव चिकित्सा सेंसरिंग और औद्योगिक स्वचालन शामिल हैं।यह भौतिक पदार्थों का पता लगाने के लिए संवेदनशील और विश्वसनीय सेंसर उपकरणों के निर्माण को सक्षम बनाता है।, रासायनिक और जैविक मापदंडों।

8. सौर पैनल: हमारा सीआई वेफर नवीकरणीय ऊर्जा उत्पादन के लिए सौर पैनलों के निर्माण में योगदान देता है। यह अर्धचालक परतों की जमाव के लिए आधार सामग्री के रूप में कार्य करता है,सौर ऊर्जा के प्रभाव के माध्यम से सूर्य के प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करने में सक्षम.

9. अर्धचालक यंत्र: हमारे सीई वेफर का उपयोग ट्रांजिस्टर, डायोड और कैपेसिटर सहित अर्धचालक यंत्रों की एक विस्तृत श्रृंखला के उत्पादन में किया जाता है।यह अर्धचालक सामग्री के एकीकरण और विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए इलेक्ट्रॉनिक घटकों के निर्माण के लिए एक स्थिर और समान सब्सट्रेट प्रदान करता है.

10. माइक्रोफ्लुइडिक्स: हमारा सीई वेफर प्रयोगशाला-ऑन-ए-चिप सिस्टम, बायोमेडिकल डायग्नोस्टिक्स और रासायनिक विश्लेषण जैसे अनुप्रयोगों के लिए माइक्रोफ्लुइडिक उपकरणों के विकास का समर्थन करता है।यह माइक्रो-चैनलों के एकीकरण के लिए एक मंच प्रदान करता है, वाल्व और सेंसर, जो सूक्ष्म पैमाने पर तरल पदार्थों के सटीक नियंत्रण और हेरफेर की अनुमति देते हैं।

उत्पाद गुण

1. उच्च शुद्धता: हमारा सीई वेफर उच्च शुद्धता प्रदर्शित करता है, जिसमें अशुद्धियों और दोषों का स्तर कम होता है, जो उत्कृष्ट विद्युत गुणों और डिवाइस प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।

2. एक समान क्रिस्टल संरचनाः वेफर में न्यूनतम दोषों के साथ एक समान क्रिस्टल संरचना होती है, जिससे डिवाइस का लगातार निर्माण और विश्वसनीय संचालन संभव होता है।

3. नियंत्रित सतह की गुणवत्ता: प्रत्येक वेफर को चिकनी और दोष मुक्त सतह प्राप्त करने के लिए कठोर सतह उपचार प्रक्रियाओं से गुजरना पड़ता है,पतली फिल्मों के जमाव और उपकरण इंटरफेस के गठन के लिए आवश्यक.

4. सटीक आयामी नियंत्रण: हमारे Si वेफर को सटीक आयामी नियंत्रण के साथ निर्मित किया जाता है, जिससे पूरी सतह पर समान मोटाई और समतलता सुनिश्चित होती है,सटीक उपकरण निर्माण प्रक्रियाओं की सुविधा.

5. अनुकूलन योग्य विनिर्देश: हम अपने Si वेफर्स के लिए अनुकूलन योग्य विनिर्देशों की एक श्रृंखला प्रदान करते हैं, जिसमें डोपिंग एकाग्रता, प्रतिरोध और अभिविन्यास शामिल हैं,विभिन्न अर्धचालक अनुप्रयोगों की विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए.

6. उच्च थर्मल स्थिरता: वेफर उच्च थर्मल स्थिरता का प्रदर्शन करता है, जिससे डिवाइस के प्रदर्शन को खतरे में डाले बिना तापमान की एक विस्तृत श्रृंखला में विश्वसनीय संचालन की अनुमति मिलती है।

7. उत्कृष्ट विद्युत गुण: हमारे Si वेफर उत्कृष्ट विद्युत गुण प्रदर्शित करता है, जिसमें उच्च वाहक गतिशीलता, कम रिसाव धाराएं और समान विद्युत चालकता शामिल हैं,उपकरण के प्रदर्शन और दक्षता को अनुकूलित करने के लिए आवश्यक.

8. अर्धचालक प्रक्रियाओं के साथ संगतता: वेफर विभिन्न अर्धचालक प्रसंस्करण तकनीकों के साथ संगत है, जिसमें एपिटेक्सी, लिथोग्राफी और उत्कीर्णन शामिल हैं,मौजूदा विनिर्माण कार्यप्रवाहों में निर्बाध एकीकरण को सक्षम करना.

9. विश्वसनीयता और दीर्घायु: दीर्घकालिक विश्वसनीयता के लिए डिज़ाइन किया गया,हमारे Si वेफर अपने परिचालन जीवनकाल के दौरान लगातार प्रदर्शन और स्थायित्व सुनिश्चित करने के लिए सख्त गुणवत्ता नियंत्रण उपायों से गुजरता है.

10. पर्यावरण के अनुकूल: हमारा सी-वेफर पर्यावरण के अनुकूल है, निर्माण और संचालन के दौरान स्वास्थ्य और पर्यावरण के लिए न्यूनतम जोखिम पैदा करता है,सतत विनिर्माण प्रथाओं के अनुरूप.

11. सिलिकॉन वेफर्स के विनिर्देश

    पद	इकाई	विनिर्देश
    ग्रेड	--	प्राइम
    क्रिस्टलीयता	--	मोनोक्रिस्टलीय
    व्यास	इंच	2 इंच या 3 इंच या 4 इंच या 6 इंच या 8 इंच
    व्यास	मिमी	50.8±0.3 या 76.2±0.3 या 100±0.5 या 154±0.5 या 200±0.5
    विकास विधि		CZ / FZ
    डोपेंट		बोरॉन/फॉस्फोरस
    प्रकार	पी / एन प्रकार
    मोटाई	μm	180 1000±10 या आवश्यकता के अनुसार
    अभिविन्यास		<100> <110> <111>±1
    प्रतिरोध	Ω-cm	आवश्यकतानुसार
    चमकाना		एकल पक्ष या डबल पक्ष पॉलिश
    SiO2परत (थर्मल ऑक्सीकरण द्वारा विकसित) / Si3एन4परत (एलपीसीवीडी द्वारा उगाया गया)		आवश्यकतानुसार परत की मोटाई
    पैकिंग		आवश्यकता के अनुसार