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सब्सट्रेट के रूप में सिंगल क्रिस्टल मोनोक्रिस्टल सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट इंडियम आर्सेनाइड
उत्पाद विवरण:
| उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
| ब्रांड नाम: | zmkj |
| मॉडल संख्या: | इंडियम आर्सेनाइड (आईएनए) |
भुगतान & नौवहन नियमों:
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 3 पीसीएस |
|---|---|
| मूल्य: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | 1000-ग्रेड सफाई कक्ष में सिंगल वेफर पैकेज |
| प्रसव के समय: | 2-4सप्ताह |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन |
| आपूर्ति की क्षमता: | 500 पीसी |
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विस्तार जानकारी |
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| सामग्री: | इंडियम आर्सेनाइड (InAs) मोनोक्रिस्टलाइन क्रिस्टल | वृद्धि विधि: | vfg |
|---|---|---|---|
| आकार: | 2-4 इंच | मोटाई: | 300-800um |
| आवेदन: | III-V डायरेक्ट बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री | सतह: | एसएसपी/डीएसपी |
| पैकेट: | एकल वेफर बॉक्स | ||
| हाई लाइट: | मोनोक्रिस्टल सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट,सिंगल क्रिस्टल इंडियम फास्फाइड वेफर,सेमीकंडक्टर आईएएस सबस्ट्रेट |
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उत्पाद विवरण
सेमीकंडक्टर के लिए 2-4 इंच गैलियम एंटीमोनाइड GaSb सबस्ट्रेट सिंगल क्रिस्टल मोनोक्रिस्टल
इंडियम आर्सेनाइड सब्सट्रेट सिंगल क्रिस्टल मोनोक्रिस्टल सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट के रूप में
सिंगल क्रिस्टल सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट इंडियम आर्सेनाइड वेफर के रूप में
InAs सब्सट्रेट
| प्रोडक्ट का नाम | इंडियम आर्सेनाइड (InAs) क्रिस्टल |
| उत्पाद की विशेषताएं |
विकास विधि: सीजेड क्रिस्टल ओरिएंटेशन: <100> प्रवाहकीय प्रकार: एन-प्रकार डोपिंग प्रकार: पूर्ववत वाहक एकाग्रता: 2 ~ 5E16 / सेमी 3 गतिशीलता:> 18500 सेमी 2 / वी.एस सामान्य निर्दिष्टीकरण आयाम: dia4 "× 0.45 1sp |
| मानक पैकेज | 1000 साफ कमरा, 100 साफ बैग या सिंगल बॉक्स |
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विकास
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एलईसी
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व्यास
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2/2 इंच
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मोटाई
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500-625 उम
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अभिविन्यास
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<100> / <111> / <110> या अन्य
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ऑफ ओरिएंटेशन
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2° से 10° तक बंद
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सतह
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एसएसपी/डीएसपी
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फ्लैट विकल्प
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ईजे या सेमी।एसटीडी।
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टीटीवी
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<= 10 उम
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ईपीडी
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<= 15000 सेमी -2
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श्रेणी
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एपी पॉलिश ग्रेड / मैकेनिकल ग्रेड
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पैकेट
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पैकेट
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डोपेंट उपलब्ध है
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एस / जेएन / अनोपेड
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चालकता का प्रकार
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एन / पी
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एकाग्रता
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1E17 - 5E18 सेमी-3
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गतिशीलता
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100 ~ 25000 सेमी2 / बनाम
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InAsSb / In-AsPSb, InNAsSb और अन्य विषम सामग्री को सब्सट्रेट के रूप में InAs सिंगल क्रिस्टल पर उगाया जा सकता है, और 2 से 14 माइक्रोन के तरंग दैर्ध्य के साथ एक अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक उपकरण तैयार किया जा सकता है।AlGaSb सुपरलैटिस संरचना सामग्री भी InAs सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट का उपयोग करके एपिटैक्सियल रूप से उगाई जा सकती है।मध्य अवरक्त क्वांटम कैस्केड लेजर।इन अवरक्त उपकरणों में गैस निगरानी, कम-नुकसान वाले फाइबर संचार आदि के क्षेत्र में अच्छी अनुप्रयोग संभावनाएँ हैं। इसके अलावा, InAs एकल क्रिस्टल में उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है और हॉल डिवाइस बनाने के लिए आदर्श सामग्री होती है।
विशेषताएँ:
1. क्रिस्टल लिक्विड-सील्ड स्ट्रेट-ड्राइंग टेक्नोलॉजी (LEC) द्वारा परिपक्व तकनीक और स्थिर विद्युत प्रदर्शन के साथ उगाया जाता है।
2, सटीक अभिविन्यास के लिए एक्स-रे दिशात्मक उपकरण का उपयोग करते हुए, क्रिस्टल अभिविन्यास विचलन केवल ± 0.5 डिग्री है
3, वेफर रासायनिक यांत्रिक चमकाने (सीएमपी) प्रौद्योगिकी, सतह खुरदरापन <0.5 एनएम द्वारा पॉलिश किया जाता है
4, "खुले बॉक्स का उपयोग करने के लिए तैयार" आवश्यकताओं को प्राप्त करने के लिए
5, उपयोगकर्ता की आवश्यकताओं के अनुसार, विशेष विनिर्देशों उत्पाद प्रसंस्करण
| क्रिस्टल | नशीली दवा | प्रकार |
आयन वाहक एकाग्रता मुख्यमंत्री -3 |
गतिशीलता (सेमी 2 / बनाम) | एमपीडी (सेमी-2) | आकार | |
| आई एन ए एस | अन-डोप | एन | 5*1016 | ³2*104 | <5*104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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| आई एन ए एस | एस.एन. | एन | (5-20) *1017 | > 2000 | <5*104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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| आई एन ए एस | Zn | पी | (1-20) *1017 | 100-300 | <5*104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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| आई एन ए एस | एस | एन | (1-10)*1017 | > 2000 | <5*104 |
Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm |
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| आकार (मिमी) | Dia50.8x0.5 मिमी, 10 × 10 × 0.5 मिमी, 10 × 5 × 0.5 मिमी अनुकूलित किया जा सकता है | ||||||
| आरए | सतह खुरदरापन (रा): <= 5 ए | ||||||
| पॉलिश | सिंगल या डबल साइड पॉलिश | ||||||
| पैकेट | 1000 सफाई कक्ष में 100 ग्रेड सफाई प्लास्टिक बैग | ||||||
---सामान्य प्रश्न -
प्रश्न: क्या आप ट्रेडिंग कंपनी या निर्माता हैं?
A: zmkj एक ट्रेडिंग कंपनी है लेकिन एक नीलम निर्माता है
अनुप्रयोगों की एक विस्तृत अवधि के लिए अर्धचालक सामग्री वेफर्स के आपूर्तिकर्ता के रूप में।
क्यू: अपने प्रसव के समय कब तक है?
ए: सामान स्टॉक में होने पर आम तौर पर यह 5-10 दिन होता है।या माल नहीं है तो यह 15-20 दिन है
स्टॉक में, यह मात्रा के अनुसार है।