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| ब्रांड नाम: | ZMKJ |
| मॉडल संख्या: | 4h-n |
| एमओक्यू: | 1 टुकड़ा |
| कीमत: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कक्ष में सिंगल वेफर पैकेज |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
डबल साइड पोलिश सिलिकॉन कार्बाइड वेफर 2-8 '' 4 एच एन - डोपेड सीआईसी वेफर्स / 8 इंच 200 मिमी एन-टाइप सीआईसी क्रिस्टल वेफर्स इनगॉट्स सीआईसी सब्सट्रेट/2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC सिल्लियां/उच्च शुद्धता 4H-N 4inch 6inch dia 150mm सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल (sic) सबस्ट्रेट्स वेफर्स
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कार्बोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होता है।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज, या दोनों पर काम करते हैं। SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह GaN उपकरणों को विकसित करने के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च तापमान में हीट स्प्रेडर के रूप में भी कार्य करता है। बिजली एलईडी।
| 4 इंच प्रवाहकीय सीआईसी वेफर विशिष्टता | ||||
| उत्पाद | 4H-सिक | |||
| श्रेणी | ग्रेड I | ग्रेड II | ग्रेड III | |
| पॉलीक्रिस्टलाइन क्षेत्र | किसी की अनुमति नहीं है | किसी की अनुमति नहीं है | <5% | |
| बहुरूपी क्षेत्र | किसी की अनुमति नहीं है | ≤20% | 20% ~ 50% | |
| माइक्रोपाइप घनत्व) | <5माइक्रोपाइप/सेमी-2 | <30माइक्रोपाइप/सेमी-2 | <100माइक्रोपाइप/सेमी-2 | |
| कुल प्रयोग करने योग्य क्षेत्र | >95% | >80% | एन/ए | |
| व्यास | 100.0 मिमी +0/-0.5 मिमी | |||
| मोटाई | 500 सुक्ष्ममापी ± 25 सुक्ष्ममापी या ग्राहक विशिष्टता | |||
| दोपंत | एन प्रकार: नाइट्रोजन | |||
| प्राथमिक फ्लैट अभिविन्यास) | लंबवत <11-20> ± 5.0° | |||
| प्राथमिक फ्लैट लंबाई | 32.5 मिमी ± 2.0 मिमी | |||
| माध्यमिक फ्लैट अभिविन्यास) | प्राथमिक फ्लैट से 90° CW ± 5.0° | |||
| माध्यमिक फ्लैट लंबाई) | 18.0 मिमी ± 2.0 मिमी | |||
| अक्ष पर वेफर अभिविन्यास) | {0001} ± 0.25° | |||
| ऑफ एक्सिस वेफर ओरिएंटेशन | 4.0° की ओर <11-20> ± 0.5° या ग्राहक विशिष्टता | |||
| टीटीवी/बो/ताना | <5μm / <10μm /< 20μm | |||
| प्रतिरोधकता | 0.01 ~ 0.03 × सेमी | |||
| सतह खत्म | सी फेस पॉलिश। सी फेस सीएमपी (सी फेस: आरक्यू <0.15 एनएम) या ग्राहक विशिष्टता: |
डबल साइड पॉलिश |
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4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां
2 इंच 4 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर / सिल्लियां
3 इंच 4एच एन-टाइप सीआईसी वेफर 4 इंच 4 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर / सिल्लियां 6 इंच 4H एन-टाइप SiC वेफर / सिल्लियां 8 इंच 4H एन-टाइप |
2 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर
3 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर 4 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर 6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 8 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर
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सीआईसी अनुप्रयोग
उपयेाग क्षेत्र
1: उच्च आवृत्ति और उच्च शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरण Schottky डायोड, JFET, BJT, PiN, डायोड, IGBT, MOSFET
2: ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक डिवाइस: मुख्य रूप से GaN / SiC ब्लू एलईडी सब्सट्रेट सामग्री (GaN / SiC) एलईडी में उपयोग किया जाता है
सामान्य प्रश्न:
प्रश्न: शिपिंग और लागत का तरीका क्या है?
ए: (1) हम डीएचएल, फेडेक्स, ईएमएस इत्यादि स्वीकार करते हैं।
(2) यह ठीक है यदि आपका अपना एक्सप्रेस खाता है, यदि नहीं, तो हम उन्हें शिप करने में आपकी सहायता कर सकते हैं और
भाड़ा वास्तविक निपटान के अनुसार है।
प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
ए: प्रसव से पहले टी / टी 100% जमा।
प्रश्न: आपका MOQ क्या है?
ए: (1) सूची के लिए, एमओक्यू 1 पीसी है।अगर 2-5 पीसी यह बेहतर है।
(2) अनुकूलित कॉमन उत्पादों के लिए, MOQ 10pcs ऊपर है।
प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?
ए: (1) मानक उत्पादों के लिए
इन्वेंट्री के लिए: आपके द्वारा ऑर्डर देने के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवसों में होती है।
अनुकूलित उत्पादों के लिए: आपके द्वारा संपर्क करने के 2 -4 सप्ताह बाद डिलीवरी होती है।
प्रश्न: क्या आपके पास मानक उत्पाद हैं?
ए: स्टॉक में हमारे मानक उत्पाद।सबस्ट्रेट्स की तरह 4 इंच 0.35 मिमी।
