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उत्पादों का विवरण

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सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट
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2 इंच गैलियम फास्फाइड क्रिस्टल सब्सट्रेट GaP वेफर 0.3 मोटाई की सतह से ढके

2 इंच गैलियम फास्फाइड क्रिस्टल सब्सट्रेट GaP वेफर 0.3 मोटाई की सतह से ढके

ब्रांड नाम: zmkj
मॉडल संख्या: 2inch
एमओक्यू: 5pcs
कीमत: BY CASE
पैकेजिंग विवरण: एकल वेफर बॉक्स
भुगतान की शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, Moneygram
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
सामग्री:
99.99 % शुद्धता एकल क्रिस्टल
अभिविन्यास:
111
आकार:
2inch
सतह:
आगोश में
मोटाई:
300um
आवेदन:
इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उद्योग
वृद्धि विधि:
LEC
आपूर्ति की क्षमता:
100PCS
प्रमुखता देना:

वेफर सब्सट्रेट

,

अर्धचालक वेफर

उत्पाद का वर्णन

2-6 इंच गैलियम फास्फाइड (GaP) क्रिस्टल क्रिस्टल सब्सट्रेट, GaP वेफर

ZMKJ 2inch GaP वेफर प्रदान कर सकता है - गैलियम फॉस्फाइड जो LEC (लिक्विड एनकैप्सुलेटेड Czochralski) द्वारा विकसित किया जाता है, जो n टाइप, पी या सेमी-इंसुलेटिंग के साथ विभिन्न प्रकार (111) या (100) में एपि-रेडी या मैकेनिकल ग्रेड के रूप में होता है।

गैलियम फॉस्फाइड (GaP), गैलियम का एक फॉस्फाइड, एक यौगिक अर्धचालक पदार्थ है, जो 2.26eV (300K) के अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल के साथ है। पॉलीक्रिस्टलाइन सामग्री में हल्के नारंगी रंग के टुकड़े होते हैं। अघोषित एकल क्रिस्टल वेफर्स स्पष्ट नारंगी दिखाई देते हैं, लेकिन स्वतंत्र रूप से वाहक अवशोषण के कारण जोरदार डॉप किए गए वेफर अधिक गहरे दिखाई देते हैं। यह पानी में गंधहीन और अघुलनशील होता है। सल्फर या टेल्यूरियम का उपयोग डोपेंट के रूप में एन-टाइप अर्धचालकों के उत्पादन के लिए किया जाता है। जस्ता का उपयोग पी-प्रकार के अर्धचालक के लिए एक डोपेंट के रूप में किया जाता है। वालियम फॉस्फाइड में ऑप्टिकल सिस्टम में अनुप्रयोग होते हैं। इसका अपवर्तनांक 4.30 से 262 एनएम (यूवी), 3.45 के बीच 550 एनएम (हरा) और 3.19 के बीच 840 एनएम (आईआर) पर है।

2 इंच तक के इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उद्योग में उच्च गुणवत्ता वाला एकल क्रिस्टल जीपी वेफर (गैलियम फास्फाइड)। गैलियम फास्फाइड (GaP) क्रिस्टल एक नारंगी-पीले रंग की अर्ध-पारभासी सामग्री है जो दो तत्वों द्वारा बनाई गई है, GaP वेफर एक महत्वपूर्ण अर्धचालक सामग्री है जिसमें अन्य III-V यौगिक सामग्रियों के रूप में अद्वितीय विद्युत गुण हैं और व्यापक रूप से लाल, पीले और हरे रंग के रूप में उपयोग किया जाता है। एलईडी (प्रकाश उत्सर्जक डायोड)। हमारे पास आपके LPE आवेदन के लिए कट-ऑफ सिंगल क्रिस्टल GaP वेफर है, और आपके MOCVD और MBE एपिटैक्सियल एप्लीकेशन के लिए epi तैयार ग्रेड GaP वेफर भी उपलब्ध है। अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।

विद्युत और डोपिंग विशिष्टता

उत्पाद का नाम: गैलियम फास्फाइड (GaP) क्रिस्टल सब्सट्रेट

तकनीकी पैमाने:

क्रिस्टल की संरचना घन a = 5.4505 450
वृद्धि विधि Czochralski विधि
घनत्व 4.13 ग्राम / सेमी 3
एमपी १४० o C १
थर्मल विस्तार गुणांक 5.3 x10 -6 / O C
dopant S- डॉप्ड अनडॉप्ड
दिशा <111> या <100> <100> या <111>
प्रकार एनएन
ऊष्मीय चालकता 2 ~ 8 x10 17 / सेमी 3 4 ~ 6 x10 16 / सेमी 3
प्रतिरोध W.cm 0.03 से 0.3
ईपीडी (सेमी -2) <3x10 5 <3x10 5
विशेष विवरण:

क्रिस्टलोग्राफिक दिशाएँ: <111>, <100>। 0.5 o

मानक पॉलिश आकार: "2 "* 0.35 मिमी; Ø2" * 0.43 मिमी। ओ 3 "x0.3mm

नोट: विशेष आयामों और अभिविन्यास substrates के साथ ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार
मानक पैकिंग 1000 साफ कमरे, 100 साफ बैग या एकल बॉक्स पैकेजिंग

डोपेंट उपलब्ध है S / Zn / Cr / Undoped
चालकता का प्रकार एन / पी, सेमी-कंडक्टिंग / सेमी-इंसुलेटिंग
एकाग्रता 1E17 - 2E18 सेमी -3
चलना फिरना > 100 सेमी 2 / बनाम

उत्पाद विनिर्देश

विकास LEC
व्यास Ø 2 "
मोटाई 300um
अभिविन्यास <100> / <111> / <110> या अन्य
अभिविन्यास से दूर 2 ° से 10 °
सतह एक पक्ष पॉलिश या दो पक्ष पॉलिश या लैप्ड
सपाट विकल्प EJ या SEMI। एसटीडी।
TTV <= 10 उम
EPD <= 2E5 सेमी -2
ग्रेड एपि पॉलिशेड ग्रेड / मैकेनिकल ग्रेड
पैकेज एकल वेफर कंटेनर

तस्वीरो के नमूने

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सामान्य प्रश्न:

प्रश्न: प्रसव के समय क्या है?

ए: (1) मानक उत्पादों के लिए

इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर देने के बाद डिलीवरी 5 कार्यदिवस की है।

अनुकूलित उत्पादों के लिए: आप आदेश जगह के बाद डिलीवरी 2 या 3 सप्ताह है।

(2) विशेष-आकार के उत्पादों के लिए, ऑर्डर देने के बाद डिलीवरी 4 वर्कवीक है।

प्रश्न: अपने moq के क्या है?

एक: (1) इन्वेंट्री के लिए, MOQ 3pcs है।

(2) अनुकूलित उत्पादों के लिए, moq 10-20 sztuk है।

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