2 3 4 6 इंच सीक वेफर, सिलिकॉन वेफर 4H-N / अर्ध प्रकार SiC Ingots औद्योगिक
उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
ब्रांड नाम: | ZMKJ |
मॉडल संख्या: | 2 इंच एसआईसी सिल्लियां |
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1pcs |
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मूल्य: | by case |
पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कमरे में एकल वेफर पैकेज |
प्रसव के समय: | 1-6weeks |
भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, Moneygram |
आपूर्ति की क्षमता: | 1-50pcs / माह |
विस्तार जानकारी |
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सामग्री: | SiC सिंगल क्रिस्टल 4H-N प्रकार | श्रेणी: | डमी / उत्पादन ग्रेड |
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सोचो: | 6-15 मिमी | सरफेस: | एल.पी./के रूप में कटौती |
आवेदन: | डिवाइस निर्माता पॉलिशिंग परीक्षण | व्यास: | 50.8 ± 0.3 मिमी |
प्रमुखता देना: | सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट,सिक वेफर |
उत्पाद विवरण
2इंच/3इंच/4इंच/6इंच 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC सिल्लियां/उच्च शुद्धता 4H-N 4इंच 6इंच व्यास 150mm सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल (sic) सबस्ट्रेट्स वेफर्स, सिक क्रिस्टल सिल्लियांइस प्रकार अर्धचालक सबस्ट्रेट्स,सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वेफर / कस्टमाइज्ड एज़-कट सिक वेफर्स
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल के बारे में
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कार्बोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होता है।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज या दोनों पर काम करते हैं। SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह GaN उपकरणों को उगाने के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च तापमान में हीट स्प्रेडर के रूप में भी काम करता है। बिजली एलईडी।
संपत्ति | 4H-SiC, सिंगल क्रिस्टल | 6H-SiC, सिंगल क्रिस्टल |
जाली पैरामीटर | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
स्टैकिंग अनुक्रम | एबीसीबी | एबीसीएसीबी |
मोहस कठोरता | ≈9.2 | ≈9.2 |
घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी3 | 3.21 ग्राम/सेमी3 |
थर्म।विस्तार गुणांक | 4-5×10-6/के | 4-5×10-6/के |
अपवर्तन सूचकांक @750nm |
नहीं = 2.61 ने = 2.66 |
नहीं = 2.60 ने = 2.65 |
पारद्युतिक स्थिरांक | सी ~ 9.66 | सी ~ 9.66 |
तापीय चालकता (एन-प्रकार, 0.02 ओम.सेमी) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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तापीय चालकता (अर्ध-इन्सुलेटिंग) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
ऊर्जा अंतराल | 3.23 ईवी | 3.02 ईवी |
ब्रेक-डाउन विद्युत क्षेत्र | 3-5 × 106 वी / सेमी | 3-5 × 106 वी / सेमी |
संतृप्ति बहाव वेग | 2.0×105मी/से | 2.0×105मी/से |
उच्च शुद्धता 4 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सब्सट्रेट विशिष्टता




4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां
2 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां
3 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर 4 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां 6 इंच 4H N-टाइप SiC वेफर/सिल्लियां |
4H अर्ध-इन्सुलेटिंग / उच्च शुद्धताएसआईसी वेफर 2 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर
3 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 4 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर 6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर |
6H एन-टाइप SiC वेफर
2 इंच 6H N-टाइप SiC वेफर/पिंड |
2-6 इंच के लिए अनुकूलित आकार
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ZMKJ कंपनी के बारे में
ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग को उच्च गुणवत्ता वाला सिंगल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।SiC वेफर सिलिकॉन वेफर और GaAs वेफर की तुलना में अद्वितीय विद्युत गुणों और उत्कृष्ट तापीय गुणों के साथ अगली पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री है, SiC वेफर उच्च तापमान और उच्च शक्ति उपकरण अनुप्रयोग के लिए अधिक उपयुक्त है।SiC वेफर को 2-6 इंच के व्यास में आपूर्ति की जा सकती है, दोनों 4H और 6H SiC, N- प्रकार, नाइट्रोजन डोप्ड और अर्ध-इन्सुलेट प्रकार उपलब्ध हैं।अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
सामान्य प्रश्न:
प्रश्न: शिपिंग और लागत का तरीका क्या है?
ए: (1) हम डीएचएल, फेडेक्स, ईएमएस इत्यादि स्वीकार करते हैं।
(2) यह ठीक है यदि आपके पास अपना स्वयं का एक्सप्रेस खाता है, यदि नहीं, तो हम उन्हें भेजने में आपकी सहायता कर सकते हैं और
भाड़ा मैं हैएन वास्तविक बंदोबस्त के अनुसार।
क्यू: कैसे भुगतान करने के लिए?
ए: डिलीवरी से पहले टी / टी 100% जमा।
प्रश्न: आपका MOQ क्या है?
ए: (1) इन्वेंट्री के लिए, MOQ 1 पीसी है।अगर 2-5 पीसी यह बेहतर है।
(2) अनुकूलित कॉमन उत्पादों के लिए, MOQ 10 पीसी ऊपर है।
क्यू: प्रसव के समय क्या है?
ए: (1) मानक उत्पादों के लिए
इन्वेंट्री के लिए: ऑर्डर देने के 5 दिन बाद डिलीवरी होती है।
अनुकूलित उत्पादों के लिए: आपके द्वारा संपर्क किए जाने के 2 -4 सप्ताह बाद डिलीवरी होती है।
प्रश्न: क्या आपके पास मानक उत्पाद हैं?
ए: स्टॉक में हमारे मानक उत्पाद।सबस्ट्रेट्स की तरह 4 इंच 0.35 मिमी।