6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे उच्च तापमान प्रतिरोध ग्रेफाइट प्लेटें
उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
ब्रांड नाम: | ZMKJ |
मॉडल संख्या: | 6 इंच |
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 5-10 पीसी |
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मूल्य: | by case |
पैकेजिंग विवरण: | ग्रेफाइट ट्रे के लिए आवश्यक पैक |
प्रसव के समय: | 1-3सप्ताह |
भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
आपूर्ति की क्षमता: | 1000 पीसी / सप्ताह |
विस्तार जानकारी |
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उत्पाद का नाम: | 6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड | सामग्री: | ग्रेफाइट SiC वेफर ट्रे |
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Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | सरफेस: | पॉलिश / पीस |
Application: | Electrolysis | व्यास: | 6 इंच |
प्रमुखता देना: | सीआईसी लेपित ग्रेफाइट ट्रे,6 इंच ग्रेफाइट ट्रे,सिलिकॉन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट प्लेट्स |
उत्पाद विवरण
6 इंच सिलिकॉन कार्बाइड SiC लेपित ग्रेफाइट ट्रे उच्च तापमान प्रतिरोध ग्रेफाइट प्लेट
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
आवेदन
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अर्धचालक एकीकृत सर्किट
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शुद्धता गुणक<5ppm
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नैनो-स्केल कोटिंग और अच्छी डोपिंग एकरूपता
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अच्छी तरह से सीलिंग प्रदर्शन और मजबूत पेंट कोटिंग बंधन क्षमता
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क्षरण प्रतिरोधी ब्लॉक कार्बन तत्व बंधन
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पेशेवर कस्टम बनाया सेवा
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कम अग्रिम समय
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अंतरराष्ट्रीय प्रक्रिया उत्पाद और स्थिर वितरण समय
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उत्पाद प्रदर्शन में तेजी से सुधार की सेवाएं
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कैटलॉग सामान्य आकार
ग्रेड | थोक घनत्व | झुकने की शक्ति | संपीड़न शक्ति |
विशिष्ट प्रतिरोधकता
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राख सामग्री |
जीएसके-II | 1.72g/cc min | 15 एमपीए मिनट | 32 एमपीए मिनट | 8.0μΩ•m अधिकतम | 0अधिकतम 0.3% |
एचपीएम-II | 1.78g/cc min | 18 एमपीए मिनट | 35 एमपीए मिनट | 10μΩ•m अधिकतम | 0अधिकतम 0.1% |
एचपीएम-III | 1.83g/cc min | 35 एमपीए मिनट | 68 एमपीए मिनट | 10μΩ•m अधिकतम | 0अधिकतम 0.1% |
विभिन्न अन्य ग्रेड ग्राफाइट उपलब्ध हैं. यदि आपकी आवश्यक सामग्री उपरोक्त ग्रेड के भीतर नहीं है, कृपया बिना किसी हिचकिचाहट के हमसे संपर्क करें,हमारे पेशेवर और अनुभवी इंजीनियर आपके विशिष्ट आवेदन के अनुसार सबसे उपयुक्त ग्रेड का चयन करेंगे. |
ZMKJ कंपनी के बारे में
ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग के लिए उच्च गुणवत्ता वाले एकल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।अद्वितीय विद्युत गुणों और उत्कृष्ट ताप गुणों के साथ , सिलिकॉन वेफर और GaAs वेफर की तुलना में, SiC वेफर उच्च तापमान और उच्च शक्ति डिवाइस अनुप्रयोग के लिए अधिक उपयुक्त है. SiC वेफर व्यास 2-6 इंच में आपूर्ति की जा सकती है, दोनों 4H और 6H SiC,एन-प्रकार, नाइट्रोजन डोपाइज्ड, और अर्ध-अछूता प्रकार उपलब्ध है. अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें.
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अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
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अनुकूलित उत्पादों के लिएः डिलीवरी आपके आदेश के बाद 2 -4 सप्ताह है।
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