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मैं.​गैलियम नाइट्राइड (GaN)​
गैलियम नाइट्राइड (GaN) एक अकार्बनिक रासायनिक यौगिक है जिसका सूत्र हैGaN , गैलियम (Ga) और नाइट्रोजन (N) से बना है।तीसरी पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री , यह आम तौर पर एक सफेद या थोड़ा पीला ठोस पाउडर के रूप में मौजूद है।

• ​संरचनात्मक स्थिरताचरम परिस्थितियों में
• ​उच्च पिघलने का बिंदु> 1700°C)
• ​उच्च वोल्टेज प्रतिरोध(विघटन क्षेत्र ~3.3 एमवी/सेमी)
• ​विकिरण सहिष्णुता(अंतरिक्ष और परमाणु वातावरण के लिए प्रभावी)

यह व्यापक-बैंडगैप अर्धचालक पारंपरिक सिलिकॉन आधारित सामग्रियों की तुलना में कठोर परिचालन वातावरण में बेहतर प्रदर्शन प्रदर्शित करता है, जो इसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण बनाता है,रेडियो फ्रीक्वेंसी (आरएफ) प्रणाली और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स।

II. बाजार का आकार और विकास की प्रवृत्ति
गैलियम नाइट्राइड (GaN) प्रौद्योगिकी के निरंतर विस्तार के साथ उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से उच्च शक्ति वाले अनुप्रयोगों जैसे इलेक्ट्रिक वाहनों (EVs), फोटोवोल्टिक ऊर्जा भंडारण और डेटा केंद्रों में,वैश्विक GaN पावर डिवाइस बाजार में तेजी से वृद्धि हो रही हैः
​बाजार के आंकड़े :

• 2022 में, बाजार का आकार 180 मिलियन अमरीकी डालर तक पहुंच गया, जिसका अनुमान 2026 तक 1.33 बिलियन अमरीकी डालर तक पहुंचने का है, जिसमें 65% की संयुग्मित वार्षिक वृद्धि दर (CAGR) है।
• उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स 2022 में लगभग 146 मिलियन अमरीकी डालर के साथ प्रमुख बाजार खंड बना हुआ है, जो 2028 तक 1.307 बिलियन अमरीकी डालर तक बढ़ने की उम्मीद है (योले डेवलपमेंट) ।

​अनुप्रयोग विस्तार :

अनुप्रयोग का दायरा पारंपरिक स्मार्टफोन फास्ट चार्जिंग और पावर एडाप्टर से नए ऊर्जा वाहन ऑनबोर्ड चार्जर (ओबीसी) सहित मध्यम से उच्च शक्ति वाले परिदृश्यों तक विस्तारित हो गया है।दूरसंचार आधार स्टेशन, फोटोवोल्टिक इन्वर्टर, डेटा सेंटर सर्वर, औद्योगिक बिजली आपूर्ति और ऊर्जा भंडारण प्रणाली।

III. तकनीकी विकास के रुझान और अनुप्रयोग विकास

​1. तकनीकी रुझान​

• ​उच्च एकीकरण: परिधीय घटकों को कम करने के लिए GaN शक्ति उपकरणों के साथ ड्राइवरों का सह-पैकेजिंग
• ​उच्च विश्वसनीयता: विकिरण कठोरता और उछाल प्रतिरोध में वृद्धि
• ​उच्च दक्षता: कम प्रतिरोध, उच्च स्विचिंग आवृत्ति, बेहतर शक्ति घनत्व और सिस्टम रूपांतरण दक्षता

​​2अनुप्रयोग विस्तार परिदृश्य ​

IV. सारांश और पूर्वानुमान
गैलियम नाइट्राइड (GaN), तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों के मुख्य प्रतिनिधि के रूप में, बिजली रूपांतरण, फास्ट चार्जिंग,और ऑटोमोबाइल विद्युत नियंत्रण प्रणाली, उच्च आवृत्ति, उच्च दक्षता और उच्च एकीकरण के अपने लाभों का लाभ उठाते हुए।

​अगले पांच वर्षों के लिए अनुमान :

1. बाजार का आकार दोगुना होना जारी रहेगा। जबकि GaN उपकरण उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में स्थिर वृद्धि बनाए रखते हैं,वे धीरे-धीरे ऑटोमोबाइल पावरट्रेन सिस्टम सहित उच्च मूल्य वाले परिदृश्यों में प्रवेश करेंगे।, एआई सर्वर, और फोटोवोल्टिक इन्वर्टर।
2. प्रौद्योगिकी पारिस्थितिकी तंत्र "डिवाइस-संचालित" से "सिस्टम-सिनर्जीकृत" में संक्रमण करेगा। एकीकृत मॉड्यूल, ड्राइवर एल्गोरिदम,और अनुप्रयोग-विशिष्ट अनुकूलन मुख्य प्रतिस्पर्धी भेदभाव बन जाएगा.