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GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: ZMSH
मॉडल संख्या: GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर

भुगतान & नौवहन नियमों:

प्रसव के समय: 2-4 सप्ताह
भुगतान शर्तें: टी/टी
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

आयाम: 1" व्यास या 25.4 +/- 0.5 मिमी मोटाई: 350 +/- 50 उम
प्राथमिक फ्लैट: 12 +/- 1 मिमी द्वितीयक फ़्लैट:: 8 +/- 1 मिमी
अभिविन्यास: (0001) सी-प्लेन कुल मोटाई भिन्नता: ≤ 40 उम
सिर झुकाना: 0 +/- 10 उम्म प्रतिरोधकता: ~ 10-3 ओम-सेमी
वाहक एकाग्रता: ~ 1019 सेमी-3 वाहक गतिशीलता: ~ 150 सेमी2/वी*एस
ईट पिट घनत्व: < 5 x 104 सेमी-2 चमकाना: सामने की सतह: आरएमएस <0.5 एनएम, एपी तैयार, पीछे की सतह ग्राउंड।
हाई लाइट:

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स गैलियम नाइट्राइड वेफर

,

एलईडी GaN वेफर

,

आरएफ उपकरण गैलियम नाइट्राइड वेफर

उत्पाद विवरण

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर का सार

गैलियम नाइट्राइड (GaN) वेफर्स अपने अद्वितीय सामग्री गुणों के कारण विभिन्न उद्योगों में एक महत्वपूर्ण तकनीक के रूप में उभरे हैं।और असाधारण थर्मल स्थिरता, GaN वेफर्स को पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, आरएफ उपकरणों, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और अधिक में अनुप्रयोग मिलते हैं। यह सार GaN वेफर्स के बहुमुखी अनुप्रयोगों की खोज करता है,5जी संचार को बिजली देने से लेकर एलईडी को प्रकाश देने और सौर ऊर्जा प्रणालियों को आगे बढ़ाने तकGaN की उच्च प्रदर्शन विशेषताएं इसे कॉम्पैक्ट और कुशल इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास में एक आधारशिला बनाती हैं, जो ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स, एयरोस्पेस,और नवीकरणीय ऊर्जातकनीकी नवाचार में एक प्रेरक शक्ति के रूप में, GaN वेफर्स विभिन्न उद्योगों में संभावनाओं को फिर से परिभाषित करना जारी रखते हैं, आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स और संचार प्रणालियों के परिदृश्य को आकार देते हैं।

गैएन गैलियम नाइट्राइड वेफर का प्रदर्शन

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी 0GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी 1

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी 2GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी 3

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर का आवेदन

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी 4

गैलियम नाइट्राइड (GaN) वेफर्स को कई उद्योगों में व्यापक अनुप्रयोग मिलते हैं,इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में बेहतर प्रदर्शन के लिए अपने अद्वितीय सामग्री गुणों का लाभ उठानायहाँ GaN वेफर्स के कुछ प्रमुख अनुप्रयोग दिए गए हैंः

  1. पावर इलेक्ट्रॉनिक्स:

    • GaN वेफर्स का व्यापक रूप से पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे ट्रांजिस्टर और डायोड में उपयोग किया जाता है। उनकी उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और व्यापक बैंडगैप उन्हें पावर एम्पलीफायर जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं,परिवर्तक, और दूरसंचार से नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालियों तक के उद्योगों में इन्वर्टर।
  2. आरएफ (रेडियो फ्रीक्वेंसी) उपकरण:

    • GaN वेफर्स का उपयोग उच्च आवृत्ति आरएफ उपकरणों के विकास में किया जाता है, जिसमें एम्पलीफायर और स्विच शामिल हैं। GaN की उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता कुशल आरएफ सिग्नल प्रसंस्करण की अनुमति देती है,इसे रडार प्रणालियों जैसे अनुप्रयोगों में मूल्यवान बना रहा है, वायरलेस संचार, और उपग्रह संचार।
  3. ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडीः

    • गा एन आधारित एल ई डी (लाइट-एमिटिंग डायोड) का उपयोग प्रकाश व्यवस्था, डिस्प्ले और संकेतक में व्यापक रूप से किया जाता है।नीले और पराबैंगनी स्पेक्ट्रम में प्रकाश उत्सर्जित करने की GaN की क्षमता एलईडी में सफेद प्रकाश के उत्पादन में योगदान देती हैऊर्जा कुशल प्रकाश समाधान के लिए उन्हें महत्वपूर्ण बनाते हैं।
  4. यूवी (अल्ट्रावायलेट) ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण:

    • अल्ट्रावायलेट प्रकाश के लिए GaN की पारदर्शिता इसे यूवी ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है।और अन्य उपकरण जहां यूवी विकिरण के प्रति संवेदनशीलता आवश्यक है.
  5. उच्च-इलेक्ट्रॉन-मोबिलिटी ट्रांजिस्टर (एचईएमटी):

    • गाएन वेफर्स एचईएमटी के विकास के लिए एक प्रमुख सामग्री के रूप में कार्य करते हैं, जो उच्च आवृत्ति और उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाने वाले उच्च-प्रदर्शन वाले ट्रांजिस्टर हैं।सैटेलाइट संचार में GaN प्रौद्योगिकी पर आधारित HEMT का उपयोग किया जाता है, रडार प्रणाली, और वायरलेस बुनियादी ढांचा।
  6. वायरलेस संचार (5G):

    • गाएन की उच्च आवृत्ति क्षमताएं इसे 5जी संचार प्रणालियों में आरएफ घटकों के विकास के लिए पसंदीदा सामग्री बनाती हैं।GaN आधारित एम्पलीफायर और ट्रांसमीटर 5G नेटवर्क के लिए आवश्यक उच्च डेटा दर और कम विलंबता को सक्षम करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं.
  7. बिजली आपूर्ति और कन्वर्टर्स:

    • GaN वेफर्स का उपयोग बिजली आपूर्ति और कन्वर्टर्स के निर्माण में किया जाता है, जहां उच्च दक्षता और कॉम्पैक्ट डिजाइन आवश्यक हैं।GaN आधारित बिजली उपकरण बिजली के नुकसान को कम करने और इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों की समग्र दक्षता में सुधार करने में योगदान करते हैं.
  8. ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्सः

    • GaN तकनीक का उपयोग ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स में, विशेष रूप से इलेक्ट्रिक वाहनों (EVs) और हाइब्रिड इलेक्ट्रिक वाहनों (HEVs) में बढ़ रहा है।गैएन आधारित पावर इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रिक ड्राइवट्रेन की दक्षता को बढ़ाता है, सतत परिवहन को आगे बढ़ाने में योगदान देता है।
  9. सौर ऊर्जा इन्वर्टर:

    • सौर ऊर्जा प्रणालियों के लिए पावर इनवर्टर के विकास में गाएन वेफर्स का उपयोग किया जाता है।GaN उपकरणों की उच्च दक्षता और ऊर्जा प्रबंधन क्षमताएं सौर ऊर्जा को उपयोग योग्य बिजली में परिवर्तित करने में मदद करती हैं.
  10. उन्नत रडार प्रणाली:

    • GaN की उच्च आवृत्तियों पर कार्य करने और उच्च शक्ति स्तरों का सामना करने की क्षमता इसे उन्नत रडार प्रणालियों के लिए आदर्श बनाती है। GaN आधारित उपकरण रक्षा में रडार अनुप्रयोगों के प्रदर्शन को बढ़ाते हैं,एयरोस्पेस, और मौसम की निगरानी।

GaN वेफर्स के विविध अनुप्रयोग कई क्षेत्रों में प्रौद्योगिकी को आगे बढ़ाने में उनके महत्व को रेखांकित करते हैं।और अन्य लाभकारी गुण GaN को उन्नत इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास के लिए एक प्रमुख सक्षमकर्ता के रूप में स्थान देते हैं.

GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर का डेटा चार्ट

मॉडल नं.
50.8 मिमी
विनिर्माण प्रौद्योगिकी
एचवीपीई और एमओसीवीडी
सामग्री
यौगिक अर्धचालक
प्रकार
एन प्रकार के अर्धचालक
आवेदन
एलईडी
मॉडल
एन-प्रकार, अर्ध-अवरोधक
ब्रांड
डब्ल्यूएमसी
व्यास
50.8, 100 150 मिमी
क्रिस्टल अभिविन्यास
सी-प्लेन (0001)
प्रतिरोध
<0.05 <0.1 <0.5 ओम. सेमी
मोटाई
350um
टीटीवी
10um अधिकतम
झुकना
25um अधिकतम
ईपीडी
5E8 सेमी-2 अधिकतम
सतह की कठोरता
आगेः <= 0.2nm, पीछेः 0.5-1.5um या <= 0.2nm
वाहक एकाग्रता
5E17 सेमी-3 अधिकतम
हॉल गतिशीलता
300 सेमी2/वी.एस
ट्रेडमार्क
डब्ल्यूएमसी
परिवहन पैकेज
एकल वेफर कंटेनर
विनिर्देश
2" 4" 6"
उत्पत्ति
चेंगदू चीन
एचएस कोड
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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मुझे दिलचस्पी है GaN गैलियम नाइट्राइड वेफर उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आरएफ उपकरण ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी क्या आप मुझे अधिक विवरण भेज सकते हैं जैसे कि प्रकार, आकार, मात्रा, सामग्री, आदि।
धन्यवाद!