उच्च शुद्धता पतला नीलमणि वेफर नीलमणि एकल क्रिस्टल 0.7 मिमी मोटाई

TTV <3um 4.125inch / 6inch / 6.125inch / dia159mm R- अक्ष नीलम वाहक SOS GaAs एपिटॉक्सी के लिए वेफर्स

सिंथेटिक नीलम क्रिस्टल के बारे में

नीलमणि क्रिस्टल विकास के लिए क्यरोपोलोस प्रक्रिया (KY प्रक्रिया) वर्तमान में चीन में कई कंपनियों द्वारा इलेक्ट्रॉनिक्स और प्रकाशिकी उद्योगों के लिए नीलम का उत्पादन करने के लिए उपयोग की जाती है।
High-purity, aluminum oxide is melted in a crucible at over 2100 degrees Celsius. उच्च शुद्धता, एल्यूमीनियम ऑक्साइड को एक क्रूसिबल में 2100 डिग्री सेल्सियस से अधिक पिघलाया जाता है। Typically the crucible is made of tungsten or molybdenum. आमतौर पर क्रूसिबल टंगस्टन या मोलिब्डेनम से बना होता है। A precisely oriented seed crystal is dipped into the molten alumina. एक ठीक उन्मुख बीज क्रिस्टल पिघला हुआ एल्यूमिना में डूबा हुआ है। The seed crystal is slowly pulled upwards and may be rotated simultaneously. बीज क्रिस्टल को धीरे-धीरे ऊपर की ओर खींचा जाता है और एक साथ घुमाया जा सकता है। By precisely controlling the temperature gradients, rate of pulling and rate of temperature decrease, it is possible to produce a large, single-crystal, roughly cylindrical ingot from the melt. तापमान प्रवणता को ठीक से नियंत्रित करने से, खींचने की दर और तापमान में कमी, पिघल से एक बड़े, एकल-क्रिस्टल, मोटे तौर पर बेलनाकार पिंड का उत्पादन करना संभव है।
एकल क्रिस्टल नीलम के गुच्छे उगाए जाने के बाद, वे बेलनाकार छड़ में कोर-ड्रिल किए जाते हैं, छड़ों को वांछित खिड़की की मोटाई में कटा जाता है और अंत में वांछित सतह खत्म होने के लिए पॉलिश किया जाता है।

अर्धचालक सर्किट के लिए सब्सट्रेट के रूप में उपयोग करें
Thin sapphire wafers were the first successful use of an insulating substrate upon which to deposit silicon to make the integrated circuits known as silicon on sapphire or "SOS", Besides its excellent electrical insulating properties, sapphire has high thermal conductivity. पतली नीलम वेफर्स एक इन्सुलेट सब्सट्रेट का पहला सफल उपयोग था, जिस पर सिलिकॉन को नीलम या "एसओएस" नाम से एकीकृत सर्किट बनाने के लिए सिलिकॉन जमा करने के लिए, इसके उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेट गुणों के अलावा, नीलम में उच्च तापीय चालकता है। CMOS chips on sapphire are especially useful for high-power radio-frequency (RF) applications such as those found in cellular telephones, public-safety band radios, and satellite communication systems. नीलम पर सीएमओएस चिप्स उच्च-शक्ति रेडियो-आवृत्ति (आरएफ) अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयोगी हैं जैसे सेलुलर टेलीफोन, सार्वजनिक-सुरक्षा बैंड रेडियो और उपग्रह संचार प्रणालियों में पाए जाते हैं।
Wafers of single-crystal sapphire are also used in the semiconductor industry as substrates for the growth of devices based on gallium nitride (GaN). एकल-क्रिस्टल नीलम के वफ़र का उपयोग सेमीकंडक्टर उद्योग में गैलियम नाइट्राइड (GaN) पर आधारित उपकरणों के विकास के लिए सब्सट्रेट के रूप में किया जाता है। The use of sapphire significantly reduces the cost, because it has about one-seventh the cost of germanium. नीलम का उपयोग लागत को काफी कम कर देता है, क्योंकि इसमें जर्मेनियम की लागत लगभग एक-सातवीं है। Gallium nitride on sapphire is commonly used in blue light-emitting diodes (LEDs). नीलम पर गैलियम नाइट्राइड का उपयोग आमतौर पर नीले प्रकाश उत्सर्जक डायोड (एल ई डी) में किया जाता है।

एक खिड़की सामग्री के रूप में इस्तेमाल किया
सिंथेटिक नीलम (कभी-कभी नीलमणि ग्लास के रूप में संदर्भित) का उपयोग आमतौर पर एक खिड़की सामग्री के रूप में किया जाता है, क्योंकि यह 150 एनएम (यूवी) और 5500 एनएम (आईआर) (दृश्यमान स्पेक्ट्रम लगभग 380 एनएम से 750 के बीच प्रकाश की तरंग दैर्ध्य के लिए अत्यधिक पारदर्शी है) एनएम, और असाधारण रूप से खरोंच प्रतिरोधी। नीलमणि खिड़कियों के प्रमुख लाभ हैं:
* यूवी से निकट-अवरक्त तक बहुत व्यापक ऑप्टिकल ट्रांसमिशन बैंड
* अन्य ऑप्टिकल सामग्री या कांच की खिड़कियों की तुलना में काफी मजबूत
* खरोंच और घर्षण के लिए अत्यधिक प्रतिरोधी (खनिज कठोरता पैमाने के मोह पैमाने पर 9, मोइसेनाइट और हीरे के बगल में 3 सबसे कठिन प्राकृतिक पदार्थ)
* अत्यधिक उच्च पिघलने का तापमान (2030 डिग्री सेल्सियस)

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