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अनुकूलित एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर सिंगल क्रिस्टल विंडो टुकड़ा 60 एक्स 10 एक्स 0.5 मिमी
उत्पाद विवरण:
| उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
| ब्रांड नाम: | ZMKJ |
| मॉडल संख्या: | 60x10x0.5 मिमी |
भुगतान & नौवहन नियमों:
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1 टुकड़ा |
|---|---|
| मूल्य: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | 100-ग्रेड सफाई कक्ष में सिंगल वेफर पैकेज |
| प्रसव के समय: | 2-4सप्ताह |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
| आपूर्ति की क्षमता: | 1-50 पीसी / माह |
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विस्तार जानकारी |
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| सामग्री: | SiC सिंगल क्रिस्टल 4H-N टाइप | श्रेणी: | डमी / प्रोडक्शन ग्रेड |
|---|---|---|---|
| थिंक्स्सो: | 0.5 मिमी | सुरफेस: | पॉलिश |
| आवेदन पत्र: | असर परीक्षण | व्यास: | 60x10x0.5 मिमी |
| रंग: | टी ग्रीन | ||
| हाई लाइट: | स्वनिर्धारित एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर,एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड विंडो टुकड़ा,एकल क्रिस्टल सिलिकॉन कार्बाइड वेफर |
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उत्पाद विवरण
अनुकूलित आकार / 60x10x0.5 मिमी /2इंच/3इंच/4इंच/6इंच 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC सिल्लियां/उच्च शुद्धता 4H-N 4inch 6inch dia 150mm सिलिकॉन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टल (sic) सबस्ट्रेट्स वेफर्सएस/कस्टमाइज्ड एज़-कट एसआईसी वेफर्स सीआईसी विंडोज़/लेंस/ग्लास
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल के बारे में
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे कार्बोरंडम के रूप में भी जाना जाता है, एक अर्धचालक है जिसमें रासायनिक सूत्र SiC के साथ सिलिकॉन और कार्बन होता है।SiC का उपयोग सेमीकंडक्टर इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों में किया जाता है जो उच्च तापमान या उच्च वोल्टेज, या दोनों पर काम करते हैं। SiC भी महत्वपूर्ण एलईडी घटकों में से एक है, यह GaN उपकरणों को विकसित करने के लिए एक लोकप्रिय सब्सट्रेट है, और यह उच्च तापमान में हीट स्प्रेडर के रूप में भी कार्य करता है। बिजली एलईडी।
| संपत्ति | 4H-SiC, सिंगल क्रिस्टल | 6H-SiC, सिंगल क्रिस्टल |
| जाली पैरामीटर | ए=3.076 Å सी=10.053 | ए=3.073 सी=15.117 |
| स्टैकिंग अनुक्रम | एबीसीबी | एबीसीएसीबी |
| मोह कठोरता | 9.2 | 9.2 |
| घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी3 | 3.21 ग्राम/सेमी3 |
| थर्म।विस्तार गुणांक | 4-5×10-6/के | 4-5×10-6/के |
| अपवर्तन सूचकांक @750nm | नहीं = 2.61 | नहीं = 2.60 |
| पारद्युतिक स्थिरांक | सी~9.66 | सी~9.66 |
| तापीय चालकता (एन-प्रकार, 0.02 ओम.सेमी) | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| तापीय चालकता (अर्ध-इन्सुलेट) | ए ~ 4.9 डब्ल्यू / सेमी · के @ 298 के | a~4.6 W/cm·K@298K |
| ऊर्जा अंतराल | 3.23 ईवी | 3.02 ईवी |
| ब्रेक-डाउन विद्युत क्षेत्र | 3-5 × 106 वी / सेमी | 3-5 × 106 वी / सेमी |
| संतृप्ति बहाव वेग | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
उच्च शुद्धता 4 इंच व्यास सिलिकॉन कार्बाइड (एसआईसी) सब्सट्रेट विशिष्टता:
4H-N प्रकार / उच्च शुद्धता SiC वेफर / सिल्लियां 2 इंच 4 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर / सिल्लियां 3 इंच 4एच एन-टाइप सीआईसी वेफर 4 इंच 4 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर / सिल्लियां 6 इंच 4H एन-टाइप SiC वेफर / सिल्लियां | 2 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर 3 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर 4 इंच 4H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC वेफर 6 इंच 4H सेमी-इंसुलेटिंग SiC वेफर |
6H एन-टाइप SiC वेफर 2 इंच 6 एच एन-टाइप सीआईसी वेफर / पिंड | 2-6 इंच के लिए अनुकूलित आकार |
ZMKJ कंपनी के बारे में
ZMKJ इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग को उच्च गुणवत्ता वाला सिंगल क्रिस्टल SiC वेफर (सिलिकॉन कार्बाइड) प्रदान कर सकता है।SiC वेफर एक अगली पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री है, जिसमें अद्वितीय विद्युत गुण और उत्कृष्ट तापीय गुण हैं, सिलिकॉन वेफर और GaAs वेफर की तुलना में, SiC वेफर उच्च तापमान और उच्च शक्ति डिवाइस अनुप्रयोग के लिए अधिक उपयुक्त है।SiC वेफर की आपूर्ति 2-6 इंच व्यास में की जा सकती है, दोनों 4H और 6H SiC, N- प्रकार, नाइट्रोजन डोपेड और अर्ध-इन्सुलेट प्रकार उपलब्ध हैं।अधिक उत्पाद जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
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नीलम वेफर लेंस / LiTaO3 क्रिस्टल / SiC वेफर्स / LaAlO3 / SrTiO3 / वेफर्स / रूबी बॉल