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एलईडी के लिए 2INCH 3INCH 4 इंच अनडॉप्ड गैलियम आर्सेनाइड वेफर सेमी इंसुलेटिंग GaAs सब्सट्रेट
उत्पाद विवरण:
| उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
| ब्रांड नाम: | zmkj |
| मॉडल संख्या: | 4 इंच SEMI |
भुगतान & नौवहन नियमों:
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 5pcs |
|---|---|
| मूल्य: | by case |
| पैकेजिंग विवरण: | N2 के तहत 6 "प्लास्टिक बॉक्स में पैक किया गया सिंगल वेफर |
| प्रसव के समय: | 2-4weeks |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, Moneygram |
| आपूर्ति की क्षमता: | प्रति माह 500pcs |
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विस्तार जानकारी |
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| सामग्री: | GaAs सिंगल क्रिस्टल | आकार: | 4 इंच |
|---|---|---|---|
| मोटाई: | ६२५um या customzied | प्रकार का: | फ्लैट का |
| अभिविन्यास: | （100）2° की छूट | सतह: | डीएसपी |
| वृद्धि विधि: | vFG | ||
| हाई लाइट: | वेफर सब्सट्रेट,अर्धचालक वेफर |
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उत्पाद विवरण
2 इंच / 3 इंच / 4 इंच / 6 इंच एससीएन प्रकार / अर्ध-इन्सुलेशन / सी-डॉप्ड गैलियम आर्सेनाइड GaAs वेफर
उत्पाद वर्णन
हमारे 2'' से 6'' सेमी-कंडक्टिंग और सेमी-इन्सुलेटिंग GaAs क्रिस्टल और वेफर का सेमीकंडक्टर इंटीग्रेटेड सर्किट एप्लिकेशन और एलईडी जनरल लाइटिंग एप्लिकेशन में बेतहाशा उपयोग किया जाता है।
| विशेषता | निवेदन स्थान |
|---|---|
| उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता | प्रकाश उत्सर्जक डायोड |
| उच्च आवृत्ति | लेजर डायोड |
| उच्च रूपांतरण दक्षता | फोटोवोल्टिक डिवाइस |
| कम बिजली की खपत | उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर |
| डायरेक्ट बैंड गैप | Heterojunction द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर |
अर्ध-संचालन GaAs वेफर के विनिर्देश
विकास विधि | वीजीएफ | |||
दोपंत | पी-प्रकार: Zn | n-प्रकार: Si | ||
वेफर आकार | गोल (व्यास: 2", 3 ", 4", 6") | |||
भूतल अभिविन्यास * | (१००) ± ०.५° | |||
* अन्य अभिविन्यास अनुरोध पर उपलब्ध हो सकते हैं | ||||
दोपंत | सी (एन-प्रकार) | Zn (पी-प्रकार) | ||
वाहक एकाग्रता (सेमी -3) | (०.८-४) × १०१८ | ( ०.५-५) × १०१९ | ||
गतिशीलता (सेमी2/वीएस) | (१-२.५) × १०३ | 50-120 | ||
पिच पिच घनत्व (सेमी 2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
वेफर व्यास (मिमी) | 50.8 ± 0.3 | ७६.२ ± ०.३ | १०० ± ०.३ | |
मोटाई (माइक्रोन) | 350 ± 25 | ६२५ ± २५ | ६२५ ± २५ | |
टीटीवी [पी/पी] (माइक्रोन) | 4 | 4 | 4 | |
टीटीवी [पी/ई] (माइक्रोन) | १० | १० | १० | |
ताना (माइक्रोन) | १० | १० | १० | |
ओएफ (मिमी) | 17 ± 1 | 22 ± 1 | ३२.५ ± १ | |
ऑफ / आईएफ (मिमी) | 7 ± 1 | 12 ± 1 | 18 ± 1 | |
पोलिश* | ई/ई, | ई/ई, | ई/ई, | |
सेमी-इंसुलेटिंग GaAs वेफर के विनिर्देश
विकास विधि | वीजीएफ | |||
दोपंत | एसआई प्रकार: कार्बन | |||
वेफर आकार | राउंड (डीआईए: 2", 3", 4", 6") | |||
भूतल अभिविन्यास * | (१००) ± ०.५° | |||
* अन्य अभिविन्यास अनुरोध पर उपलब्ध हो सकते हैं | ||||
प्रतिरोधकता (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | १ × १०८ | ||
गतिशीलता (सेमी2/वीएस) | ५,००० | ४,००० | ||
पिच पिच घनत्व (सेमी 2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
वेफर व्यास (मिमी) | 50.8 ± 0.3 | ७६.२ ± ०.३ | १०० ± ०.३ | १५० ± ०.३ |
मोटाई (माइक्रोन) | 350 ± 25 | ६२५ ± २५ | ६२५ ± २५ | ६७५ ± २५ |
टीटीवी [पी/पी] (माइक्रोन) | 4 | 4 | 4 | 4 |
टीटीवी [पी/ई] (माइक्रोन) | १० | १० | १० | १० |
ताना (माइक्रोन) | १० | १० | १० | १५ |
ओएफ (मिमी) | 17 ± 1 | 22 ± 1 | ३२.५ ± १ | पायदान |
ऑफ / आईएफ (मिमी) | 7 ± 1 | 12 ± 1 | 18 ± 1 | एन/ए |
पोलिश* | ई/ई, | ई/ई, | ई/ई, | ई/ई, |
सामान्य प्रश्न -
प्रश्न: आप रसद और लागत की आपूर्ति क्या कर सकते हैं?
(1) हम डीएचएल, फेडेक्स, टीएनटी, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ और आदि स्वीकार करते हैं।
(२) यदि आपका अपना एक्सप्रेस नंबर है, तो यह बहुत अच्छा है।
यदि नहीं, तो हम आपको वितरित करने में सहायता कर सकते हैं।फ्रेट = USD25.0 (पहला वजन) + USD12.0/kg
प्रश्न: भुगतान कैसे करें?
टी / टी, पेपैल, वेस्ट यूनियन, मनीग्राम, अलीबाबा पर सुरक्षित भुगतान और व्यापार आश्वासन और आदि।
प्रश्न: MOQ क्या है?
(1) सूची के लिए, MOQ 5pcs है।
(2) अनुकूलित उत्पादों के लिए, MOQ 5pcs-20pcs है।
यह मात्रा और तकनीक पर निर्भर करता है
प्रश्न: क्या आपके पास सामग्री के लिए निरीक्षण रिपोर्ट है?
हम अपने उत्पादों के लिए विस्तार से रिपोर्ट की आपूर्ति कर सकते हैं।
पैकेजिंग - लॉजिस्टिक्स
हम पैकेज, सफाई, विरोधी स्थैतिक, सदमे उपचार के प्रत्येक विवरण की चिंता करते हैं।उत्पाद की मात्रा और आकार के अनुसार,
हम एक अलग पैकेजिंग प्रक्रिया लेंगे!