• 5x5 / 10x10 एमएम गैलियम नाइट्राइड वेफर एचवीईपी फ्री स्टैंडिंग चिप टेम्पलेट औद्योगिक
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5x5 / 10x10 एमएम गैलियम नाइट्राइड वेफर एचवीईपी फ्री स्टैंडिंग चिप टेम्पलेट औद्योगिक

5x5 / 10x10 एमएम गैलियम नाइट्राइड वेफर एचवीईपी फ्री स्टैंडिंग चिप टेम्पलेट औद्योगिक

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: zmkj
मॉडल संख्या: गण मन FS-CU-C50-एसएसपी

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा: 10pcs
मूल्य: 1200~2500usd/pc
पैकेजिंग विवरण: वैक्यूम पैकेज द्वारा एकल वेफर मामला
प्रसव के समय: 1-5weeks
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: प्रति माह 50pcs
सबसे अच्छी कीमत संपर्क करें

विस्तार जानकारी

सामग्री: गा एकल क्रिस्टल आकार: 10x10 / 5x5 / 20x20mmt
मोटाई: 0.35mm प्रकार: N- प्रकार
आवेदन: सेमीकंडक्टर डिवाइस
हाई लाइट:

गण वेफर

,

गैलियम फास्फाइड वेफर्स

उत्पाद विवरण

2 इंच GaN सब्सट्रेट टेम्पलेट, LeD के लिए GaN वेफर, ld, GaN टेम्पलेट, mocvd GaN वेफर, स्वनिर्धारित आकार के लिए फ्री-स्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स, एलईडी के लिए छोटे आकार GaN वेफर, 5x5mm, 5x5mm, 5x5mm, 5x5mm के साथ छोटे आकार के GaN Substrates वेफर, गैर-ध्रुवीय फ्रीस्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स (एक विमान और एम-प्लेन)

GaN वेफर विशेषता

उत्पाद गैलियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट
उत्पाद वर्णन:

सैफायर GaN टेम्पलेट एपिटेक्सियल हाइड्राइड वाष्प चरण एपिटॉक्सी (एचवीपीई) विधि प्रस्तुत की गई है। एचवीपीई प्रक्रिया में,

प्रतिक्रिया द्वारा उत्पादित एसिड GaCl, जो बदले में अमोनिया के साथ गैलियम नाइट्राइड पिघल का उत्पादन करने के लिए प्रतिक्रिया करता है। एपिथैक्सियल GaN टेम्पलेट गैलियम नाइट्राइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट को बदलने के लिए एक लागत प्रभावी तरीका है।

तकनीकी पैमाने:
आकार 2 "गोल; 50 मिमी mm 2 मिमी
उत्पादों का सही जगहों में रखना C- अक्ष <0001> 01 1.0।
चालकता प्रकार एन-टाइप-पी-टाइप
प्रतिरोधकता आर <0.5 ओम-सेमी
भूतल उपचार (गा चेहरा) के रूप में बढ़ी
आरएमएस <1nm
उपलब्ध सतह क्षेत्र > 90%
विशेष विवरण:

गाएन एपीटैक्सियल फिल्म (सी प्लेन), एन-टाइप, 2 "* 30 माइक्रोन, नीलम;

गाएन एपीटैक्सियल फिल्म (सी प्लेन), एन-टाइप, 2 "* 5 माइक्रोन नीलम;

गाएन एपीटैक्सियल फिल्म (आर प्लेन), एन-टाइप, 2 "* 5 माइक्रोन नीलम;

गाएन एपीटैक्सियल फिल्म (एम प्लेन), एन-टाइप, 2 "* 5 माइक्रोन नीलम।

AL2O3 + GaN फिल्म (एन-टाइप डॉप्ड सी); AL2O3 + GaN फिल्म (P- टाइप डॉप्ड Mg)

नोट: ग्राहक की मांग के अनुसार विशेष प्लग अभिविन्यास और आकार।

स्टैंडर्ड पैकेजिंग: 1000 साफ कमरे, 100 साफ बैग या एकल बॉक्स पैकेजिंग

आवेदन

GaN का उपयोग कई क्षेत्रों में किया जा सकता है जैसे कि LED डिस्प्ले, हाई-एनर्जी डिटेक्शन और इमेजिंग,
लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस, आदि।

  • लेजर प्रोजेक्शन डिस्प्ले, पावर डिवाइस, आदि।
  • तारीख का भंडारण
  • ऊर्जा-कुशल प्रकाश
  • पूर्ण रंग fla प्रदर्शन
  • लेजर अनुमान
  • उच्च क्षमता इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों
  • उच्च आवृत्ति माइक्रोवेव डिवाइस
  • उच्च ऊर्जा का पता लगाने और कल्पना
  • नई ऊर्जा सोलर हाइड्रोजन तकनीक
  • पर्यावरण का पता लगाने और जैविक चिकित्सा
  • लाइट सोर्स टेराएर्ट्ज़ बैंड


विशेष विवरण:

गैर-ध्रुवीय फ्रीस्टैंडिंग GaN सबस्ट्रेट्स (एक विमान और एम-विमान)
मद गण मन FS-एक गण मन FS-मीटर
आयाम 5.0 मिमी × 5.5 मिमी
5.0 मिमी × 10.0mm
5.0 मिमी × 20.0mm
अनुकूलित आकार
मोटाई 350 µ 25 µm
अभिविन्यास ए-प्लेन। 1 ° एम-प्लेन-1 °
TTV Μ15 µm
धनुष Μ20 µm
चालन प्रकार N- प्रकार
प्रतिरोधकता (300K) <0.5 cm · सेमी
अव्यवस्था घनत्व 5x10 6 सेमी -2 से कम
प्रयोग करने योग्य सतह क्षेत्र > 90%
चमकाने सामने की सतह: रा <0.2nm। एपि-तैयार पॉलिश
बैक सरफेस: फाइन ग्राउंड
पैकेज एक नाइट्रोजन वातावरण के तहत, एकल वेफर कंटेनरों में, कक्षा 100 स्वच्छ कमरे के वातावरण में पैक किया गया।



इस उत्पाद के बारे में अधिक जानकारी जानना चाहते हैं
मुझे दिलचस्पी है 5x5 / 10x10 एमएम गैलियम नाइट्राइड वेफर एचवीईपी फ्री स्टैंडिंग चिप टेम्पलेट औद्योगिक क्या आप मुझे अधिक विवरण भेज सकते हैं जैसे कि प्रकार, आकार, मात्रा, सामग्री, आदि।
धन्यवाद!